②特征频率f 极管的值不仅与工作电流有关,而且与工作频率有关。 由于结电容的影响,当信号频率增加时,三极管的将会下降。 当压下降到时所对应的频率称为特征频率,用f表示 极限参数 ①集电极最大允许电流lCM 三极管集电极最大允许电流lCM当lc>IC时,管子性能将 显著下降,甚至会损坏三极管 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗 CⅣ CYCBICYCE 因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用v取代VB
②特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。 当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 ①集电极最大允许电流ICM 三极管集电极最大允许电流ICM。当IC＞ICM时，管子性能将 显著下降，甚至会损坏三极管。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 三.极限参数
③反向击穿电压 BRCBO 发射极开路I 限流电阻 A 下标BR代表击穿之意,是Bb1 R 代表集电极和基极,O代表 限神阻开路 VaR)CEO R V)老路时集电极和发射极间的 VaR)CBO 对于 BRCER表示BE间接有电阻, VBRCES表示 BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 (BR)COpA (BRICES >V (BR)CER > (BR)CEO >V (BR) EBO
③反向击穿电压 1.V(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 2.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示 BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
由PCM、ICM和 BRICEO在输出特性曲线上可 以确定过损耗区、过电流区和击穿区 I c/mA 寸流区 CM 安全比M=E吃过 工作过振区压 区lF B E (BRCEO 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可 以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 DG110 B 同一型号中的不同规格 同种器件型号的序号 器件的种类 材料 三极管 第二位:A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位:X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 材料 器件的种类 同种器件型号的序号 同一型号中的不同规格 三极管
双极型三极管的参数 参数 CM CM R CBO R CEO R ebo CBO fr 型号mWmA HA MHZ 3AX31D125125 0 12 *≥8 3BX31C125125 40 24 ≤ ≥8 3CG101C100 30 45 0.1 100 3DG123C500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 3002504 ≤2mA 3DK100B100 30 25 ≤0.1300 3DKG2250w30A400325 注:*为f
双极型三极管的参数 参 数 型 号 PCM mW I CM mA VRCBO V VRCEO V VREBO V I CBO μA fT MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f