半导体二极管及基本电路 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管 一极官基本电路方研 特殊二极管
半导体二极管及基本电路 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管 特殊二极管 ★二极管基本电路分析
半导体的基本知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同,划分为导体、绝缘 体和半导体。 半导体的电阻率为103~109gcm。典型的半导体有硅 Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 半导体的特点:1)导电能力不同于导体、绝缘体; 2)受外界光和热刺激时电导率发生很大变化—光敏元件、 热敏元件; 3)掺进微量杂质,导电能力显著增加—半导体。 o本征半导体、空穴及其导电作用 O杂质半导体
半导体的基本知识 本征半导体、空穴及其导电作用 杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘 体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 cm。典型的半导体有硅 Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点：1）导电能力不同于导体、绝缘体； 2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、 热敏元件； 3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——半导体。 半导体的基本知识
半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的四 个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的 价电子形成共价键。 原子按一定规律整齐排列,形成晶体点阵后, 结构图为: 4 4 返回
半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四 个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的 价电子形成共价键。 原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵后， 结构图为： +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 返回
o本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体 载流了—可以自由移动的带电粒子。 电导率—与材料单位体积中所含载流子数 有关,载流子浓度越高,电导率越高。 返回
本征半导体、空穴及其导电作用 本征半导体——完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 载流子——可以自由移动的带电粒子。 电导率——与材料单位体积中所含载流子数 有关，载流子浓度越高，电导率越高。 返回
◆电子空穴对 当T=0K和无外界激发时,导体中没有栽流子,不导电。当 温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子 可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由电子本 证激发。「“ 本征激发 空穴 自由电 自由电子产生的同时,在其原来的共价键中就出现了一个空位, 这个空位为空穴 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电 子空穴对。 ⑤返回
电子空穴对 当T=0K和无外界激发时，导体中没有栽流子，不导电。当 温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子 可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子——本 证激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位， 这个空位为空穴。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电 子空穴对。 本征激发 动画1-1 空穴 返回