半体号极管放大电路基确 半导三极管 基本放大电路
半导体三极管及放大电路基础 半导体三极管 基本放大电路
半导体三极管 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 频率:高频管、低频管 功率:小、中、大功率管 材料:硅管、锗管 类型:NPN型、PNP型
半导体三极管 频率：高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有电流放大功能的元件
晶体三极管的结构 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射线NPN型 集电结 C e NPI N 发射极发射区 基区]集电区集电极 e 基极 PNP型 C e PN P b b
晶体三极管的结构 发射结 集电结 基极 发射极 集电极 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射区 基区 集电区
三极管电流分配 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压 在放大工作状态: 发射结加正向电压,集电结加反向电压
三极管电流分配 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压
三极的工作原理 N P 发射结加正偏时,从发射区将 e 有大量的电子向基区扩散,形成 C 的电流为/EN CBO 从基区向发射区也有空穴的扩 散运动,但其数量小,形成的电 流为=。(这是因为发射区的掺杂浓空穴·电子《电流方向 度远大于基区的掺杂浓度。) 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。 又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的 时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入集电结的结电场 区域,被集电极所收集,形成集电极电流lcN。在基区被复合的电 子形成的电流是/gN 另外因集申结反偏,使集申结区的少子形成漂移电流L 很小的基极电流1,就可以控制较大的集电极电 流IC,从而实现了放大作用
三极的工作原理 发射结加正偏时，从发射区将 有大量的电子向基区扩散，形成 的电流为IEN。 从基区向发射区也有空穴的扩 散运动，但其数量小，形成的电 流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓 度远大于基区的掺杂浓度。） 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。 又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的 时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场 区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电 子形成的电流是 IBN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电 流IC，从而实现了放大作用