第五章 双极结型三极笞及其 放大电路 2017年3月17日
第五章 双极结型三极管及其 放大电路 1 2017年3月17日
§5-1半导体BJT 令BT( Bipolar Junction Transistor)常称为双极性 结型晶体管,简称晶体管 或三极管,它的种类很多; 1.按照频率分:有高频管、 低频管; 2.按照功率分:有小、中 大功率管; 3.按照半导体材料分:有硅 管、锗管等等。 4.根据结构不同,BT一般可 分成两种类型:NPN型和 PNP型
§ 5 - 1半导体BJT ❖ BJT （Bipolar Junction Transistor）常称为双极性 结型晶体管，简称晶体管 或三极管，它的种类很多； 1. 按照频率分：有高频管、 低频管； 2. 按照功率分：有小、中、 大功率管； 3. 按照半导体材料分：有硅 管、锗管等等。 4. 根据结构不同，BJT一般可 分成两种类型：NPN型和 PNP型。 2
NPN型BJT结构 冷NPN型BT是由两个PN结,中间是一块很簿的P型 半导体(几微米几十微米),两边各为一块N型半导体。 冷从三块半导体上接出一根引线作为三个电极,分别叫 做发射极e、基极b和集电极c,对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区。 冷发射区比集电区掺的杂质多,集电区的面积比发射区 的大,因此它们不是对称的
NPN型BJT结构 ❖ NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型 半导体(几微米-几十微米)，两边各为一块N型半导体。 ❖ 从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫 做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区。 ❖ 发射区比集电区掺的杂质多，集电区的面积比发射区 的大，因此它们不是对称的。 3
NPN型BJT结构 冷当两块不同类型的半导体结合在一起时,交界处就 会形成PN结。BT有两个PN结:发射区与基区交界 处的PN结称为发射结,集电区与基区交界处的PN 结称为集电结,两个PN结通过很薄的基区联系。 冷在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口,进行硼杂质扩 散,获得P型基区,再在P型半导体上光刻一窗口, 进行高浓度的磷扩散,获得N型发射区,表面是 层二氧化硅保护层,N型衬底用作集电极。 冷大部分NPN型硅BT都属于这种结构
NPN型BJT结构 ❖ 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就 会形成PN结。BJT有两个PN结：发射区与基区交界 处的PN结称为发射结，集电区与基区交界处的PN 结称为集电结，两个PN结通过很薄的基区联系。 ❖ 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩 散，获得P型基区，再在P型半导体上光刻一窗口， 进行高浓度的磷扩散，获得N型发射区，表面是一 层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电极。 ❖ 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。 4
发射结基区集电结 P 发射极_发射区 集电区集电极 发射区 b SiO 绝缘层 bb基极 WNWN (a) P 集电结 发射结 N型外延 集电区 基区 N+衬底 de NPN PNP 晶体管的结构与符号 (a)NPN管的示意图;(b)电路符号;(c)平面管结构剖面图
5 P 集电极 基 极 发射极 发射结 集电结 发射区 集电区 (a) NPN c e b PNP c e b b 基 区 e c (b) N ＋ 衬 底 N型外延 P N＋ c e b SiO2 绝缘层 集电结 基 区 发射区 发射结 集电区 (c) N N (a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面管结构剖面图