西安交通大学：《半导体制造技术》课程教学资源（PPT课件讲稿）第十章 高级光刻工艺（ULSI/VLSI IC图形处理过程中存在地问题）

第十章基本咒刻工艺--从曝到最终检验 6 平整化 随着光刻次数的增加,晶园表面变得高低不 平,如图所示。平整化技术包括:1)复层光刻 胶工艺;2)工艺层平整化;3)回流技术;4)化 学机械研磨。易于反射的射线 掩膜版 光刻胶 金属 底基

第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －6－ ◼ 平整化 随着光刻次数的增加，晶园表面变得高低不 平 ，如图所示。平整化技术包括：1）复层光刻 胶工艺；2）工艺层平整化；3）回流技术；4）化 学机械研磨。 掩膜版 光刻胶 金属 底基 易于反射的射线

第十章基本光刻工艺--从曝光到最终检验 7 复层光刻胶 开始 涂第一层 烘焙第一层引起轻微流动 3.涂第二层,进行显影工艺 4.第一层无掩膜曝光 5.第一层显影 6.刻蚀和剥离

第十章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －7－ ◼ 复层光刻胶 开始 1. 第一层 涂 2. 焙第一层引起轻微流动 烘 3. 第二层，进行显影工艺 涂 4. 一层无掩膜曝光 第 5. 一层显影 第 6. 蚀和剥离 刻