大连理工大学城市学院City Institute,Daliaun uuniversity of teclhunollogy在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质，分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程：因浓度差多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区+空间电荷区形成内电场?内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡
因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动→ 由杂质离子形成空间电荷区 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半 导体和 P 型半导体的结合面上形成如下物理过程:
2、PN结的单向导电性PN结具有单向导电性，天若外加电压使电流从 P 区流到 N 区,PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压,简称正偏；P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏
如果外加电压使PN结中：P区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏； PN结具有单向导电性，若外加电压使电流 从 P 区流到 N 区， PN结呈低阻性，所以电流 大；反之是高阻性，电流小。 P 区的电位低于 N 区的电位，称为加反向电 压，简称反偏。 2、PN结的单向导电性
（1）PN结加正向空间电荷区变窄，有利于扩散运动，日电路中有文正、N接负较大的正向电流。GPN内电场被削什么是PN结的单向弱，多子的导电性？扩散加强能有什么作用？够形成较大NP的扩散电流。外电场IFPN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。大连理工大学城市学院链接动画City Iinstitute,Dalian university of technology
（1）PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 I 外电场 F PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 P 内电场 N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – 内电场被削 弱，多子的 扩散加强能 够形成较大 的扩散电流。 什么是PN结的单向 导电性？ 有什么作用？ 空间电荷区变窄，有利 于扩散运动，电路中有 较大的正向电流。 链接动画
P接负、N接正（反向偏置）2）PN结加反向电压X0O耗尽层N+！++:+内电场方向外电场方向R图1.1.7PN结加反相电压时截止反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感随着温度升高，I.将急剧增大链接动画
耗尽层 图 1.1.7 PN 结加反相电压时截止 反向电流又称反向饱和电流。对温度十分敏感， 随着温度升高，IS将急剧增大。 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS （2）PN 结加反向电压（反向偏置）P接负、N接正 链接动画
大连理工大学城市学院City InstituteDallian university of teclhunology空间电荷区-N型区-P型区留下的是不能运动的离0:④田子i田空间电荷区0田田0田田多子都扩散到对方被复合掉内电场E了耗尽层。电位形成的内电场阻止扩散运Vo动阻挡层势垒电位1★10形成的内电场具有电位梯度，称接触电位差（很小）—势垒区。小结
留下的是不能运动的离 子——空间电荷区。 多子都扩散到对方被复合掉 了——耗尽层。 形成的内电场阻止扩散运 动——阻挡层。 形成的内电场具有电位梯度，称接触电位差（很 小）——势垒区。 小结