大连理工大学城市学院(1)N型半导体(Negative)City InstituteDalliaun uuniversityof teclhunology失去电子成为易成为自由电子稳定的正离子特点：N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。呈电中性。在无外电场时，互动
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 失去电子成为 稳定的正离子 +5 易成为自由电子 N 型半导体中空穴是少数载流子，电子是 多数载流子。 在无外电场时，呈电中性。 特点： (1)N 型半导体(Negative)
大连理工大学城市学院(2) PCity Institute,Dalianuuniversity of teclhunology型半导体在本征半导体中掺入三价的元素（硼）一互动硅或锗原子的共价键缺得到电子成为不能移动的负离子少一个电子形成了空穴
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 在本征半导体中掺入三价的元素（硼） 得到电子成为不能 移动的负离子 硅或锗原子的共价键缺 少一个电子形成了空穴 (2)P 型半导体
大连理工大学城市学院CityInstitute,Daliaun uuniversity of teclhunollogy本节小结：1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度：温度决定少数载流子的浓度。2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体因而其导电能力大大改善。3.杂质半导体总体上保持电中性4.杂质半导体的表示方法如下图所示。田田田田00000田田田?(b）P型半导体(a)N型半导体杂质半导体的的简化表示法
本节小结： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定 少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体， 因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 杂质半导体的的简化表示法
大连理工大学城市学院City InstituteDaliaunuuniversity of teclunology三、 PN结在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结1、PN结的形成PN结P0000田田田0.0.00C0000④④④④PN结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P PN结 N PN 结的形成 1、PN 结的形成 三、PN结
大连理工大学城市学院PN结的形成City InstituteDalliaun university of teclhunology内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间空间电荷区也称PN结电荷区变薄。少子的漂移运动P型半导体内电场V型半导体扩散和漂移这一对相反的运动最终达到+动态平衡，空.间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动形成空间电荷区链接动画扩散的结果使空间电荷区变宽
PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。 扩散的结果使空间电 荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 链接动画