大连理工大学城市学院City Institute,Daliaun uuniversity of teclhunollogy3、PN结的击穿A.掺杂浓度高B.耗尽层宽度较窄①齐纳击穿：C.较小的反向电压，很强电场D.直接破坏共价键，拉出电子，产生电子-空穴对A.掺杂浓度不高B.耗尽层宽度较宽C.较大的反向电压，很强电场②雪崩击穿：D.漂移运动的少子被加速，将共价键中的价电子碰撞出来形成电子-空穴对，以此循环
3、PN结的击穿 ①齐纳击穿： ②雪崩击穿： A.掺杂浓度高 B.耗尽层宽度较窄 C.较小的反向电压，很强电场 D.直接破坏共价键，拉出电子， 产生电子-空穴对 A.掺杂浓度不高 B.耗尽层宽度较宽 C.较大的反向电压，很强电场 D.漂移运动的少子被加速，将共 价键中的价电子碰撞出来, 形成电子-空穴对,以此循环
大连理工大学城市学院City InstituteDaliaunuuniversity of teclhunollogy4、PN结的伏安特性i=f（u）之间的关系曲线。ilmA60正向特性40反向击穿20-50-25齐纳击穿00.5 1.0u/y反向特性0.002雪崩击穿击穿电压U(BR) 0.004死区电压图 1.1.10PN结的伏安特性
4、PN结的伏安特性 i = f (u )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –50 –25 i/ mA u / V 正向特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反 向 特 性 图 1.1.10 PN结的伏安特性 反向击穿 齐纳击穿 雪崩击穿
大连理工大学城市学院CITYINSTITUTECity InstituteDaliaun university of techunology城市学院4.1.2二极管的结构和分类主要内容：一、二极管的分类二、二极管的结构三、二极管的符号
23 一、二极管的分类 二、二极管的结构 三、二极管的符号 4.1.2二极管的结构和分类 主要内容:
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大连理工大学城市学院CITYINSTITUTECity InstituteDaliaun university of technology城市学院4.1.2二极管的结构与分类PN结面积小，结一、分类:电容小，用于检波和变频等高频电路1、点接触型二极管金属触丝正极引线负极引线F外壳N型锗片二极管的结构示意图(a)点接触型
25 1、点接触型二极管 二极管的结构示意图 (a)点接触型 4.1.2二极管的结构与分类 PN结面积小，结 电容小，用于检波和变 频等高频电路。 一、分类：