综上所述,三极管的放大作用,主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是: 内部条件:发射区杂质浓度远大于基区 杂质米度,且基区很薄。 外部条件:发射结正向偏置,集电结反 向偏置 HOiv配
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置
41.3BJT的V特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) iB=fURE) UCE conSt (1)当0=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当oc≥1V时,cB=cE-OB>0,集电结已进入反偏状态,开始收 集电子,基区复合减少,同样的E下减小,特性曲线右移。 iB/HA T CE OBE 00.20.40.60.8 共射极连接 HOiv配
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时，vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接
41.3BJT的V特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mA iB=IOOHA ic face)I ig-const 放 8OHA 输出特性曲线的三个区 cOLA 大 40 饱和区:ic明显受c控制的区域, 该区域内,一般cE<0.,7V(硅管 20LA 此时,发身结正偏,集电结正偏或反 区 偏电压很小 6 12 UCE/V 截止区 截止区:iC近的区域,相当B=0放大区:C平行CE轴的区域,曲 的曲线的下方。此时,VBE小死区线基本平行等距此时,发航结正偏 电压。 集电结反偏。 HOiv配
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时，vBE小于死区 电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
41.4BJT的主要参数 。电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 B=( C CEO )/B≈Ic/ IBI u= const (2)共发射极交流电流放大系数 B=△△Blve=cast 与i的关系曲线 HOiv配
(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
41.4BJT的主要参数 。电流放大系数 (3)共基极直流电流放大系数 a=(Ic-IcBo)/LE≈IC/E (4)共基极交流电流放大系数a a=△rC/△IE UCB=const 当工 CBo和cEo 很小时≈c≈B,可 以不加区分。 HOiv配
1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=IC/IEvCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈、 ≈，可 以不加区分。 4.1.4 BJT的主要参数