定子每相电动势 E2=444NN、①m(61) 式中:E。气隙磁通在定子每相中感应电动势的有 效值,单位为V f一定子频率,单位为Hz; 定子每相绕组串联匝数 ks基波绕组系数; Φn—每极气隙磁通量,单位为Wb
• 定子每相电动势 g 44 1 s N Φm 4. S E = f N k （6-1） 式中：Eg —气隙磁通在定子每相中感应电动势的有 效值，单位为V； —定子频率，单位为Hz； —定子每相绕组串联匝数； —基波绕组系数； —每极气隙磁通量，单位为Wb。 f1 Ns kNs m
由式(6-1)可知,只要控制好Eg和f, 便可达到控制磁通Φn的目的,对此,需要 考虑基频(额定频率)以下和基频以上两 种情况
由式（6-1）可知，只要控制好Eg 和 f1 ， 便可达到控制磁通m 的目的，对此，需要 考虑基频（额定频率）以下和基频以上两 种情况
1.基频以下调速 由式(6-1)可知,要保持Φ。不变,当 频率f从额定值fN向下调节时,必须同时 降低E。,使 Eg=常值 (6-2) 即采用恒值电动势频率比的控制方式
1. 基频以下调速 由式（6-1）可知，要保持m 不变，当 频率 f1 从额定值 f1N 向下调节时，必须同时 降低 Eg ，使 = 1 g f E 常值 （6-2） 即采用恒值电动势频率比的控制方式
°恒压频比的控制方式 然而,绕组中的感应电动势是难以直接 控制的,当电动势值较髙时,可以忽略定 子绕组的漏磁阻抗压降,而认为定子相电 压U≈E,则得 常值 (6-3) 这是恒压频比的控制方式
• 恒压频比的控制方式 然而，绕组中的感应电动势是难以直接 控制的，当电动势值较高时，可以忽略定 子绕组的漏磁阻抗压降，而认为定子相电 压 Us ≈ Eg，则得 （6-3） 这是恒压频比的控制方式。 = 常值 1 f Us
但是,在低频时U和E。都较小,定子 阻抗压降所占的份量就比较显著,不再能 忽略。这时,需要人为地把电压U抬高 些,以便近似地补偿定子压降。 带定子压降补偿的恒压频比控制特性示 于下图中的b线,无补偿的控制特性则为a 线
但是，在低频时 Us 和 Eg 都较小，定子 阻抗压降所占的份量就比较显著，不再能 忽略。这时，需要人为地把电压Us 抬高一 些，以便近似地补偿定子压降。 带定子压降补偿的恒压频比控制特性示 于下图中的 b 线，无补偿的控制特性则为a 线