」〓 lP/N:71.73350.034 Apace 计算机硬件技术基础 第五章内部存储器 51存储系统概述 5.2内部存储器的作用及其分类 53半导体存储器的组成及工作原理 54内存的工作模式及主流技术 5.5内存的管理 作业:1、2、3、4、5、7
第五章 内部存储器 5.1 存储系统概述 5.2 内部存储器的作用及其分类 5.3 半导体存储器的组成及工作原理 5.4 内存的工作模式及主流技术 5.5 内存的管理 计 算 机 硬 件 技 术 基 础 作业：1、2、3、4、5、7
5.1存储系统概述 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作 需要的信息(程序和数据)的部件,构成计算机的信息记忆 。功能。存储器可分为两大类:内部存储器和外部存储器 算 CPU \速度块 寄存器 容量小 微机存储系统 硬件技 的层次结构 L1级 高速缓存 L2级 高速缓存 内部存储器↑ 主存储器 速度慢 容量大 外部存储器↓ 外部存储器(磁盘、光盘、磁带等) 础
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 5.1 存储系统概述 存储系统是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作 需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆 功能。存储器可分为两大类：内部存储器和外部存储器 内部存储器↑ 外部存储器↓ 微机存储系统 的层次结构
5.2内部存储器的作用及其分类 通过接口 通过总线 00000000 算 小存(数据传输速度慢〉内存储器(数据传输速度快)。中央 储器 0处理器 000000000 硬 内存储器均为半导体存储器,外存储器有磁性存储器、 “光存体和计号储三种 x内存的作用 运行程序; 暂存常用的程序、数据; 础 与外存储器、外设交换数据的缓冲存储
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 5.2 内部存储器的作用及其分类 内存储器均为半导体存储器，外存储器有磁性存储器、 光存储器和半导体存储器三种。 5.2.1 内存的主要作用 内存的作用： • 运行程序； • 暂存常用的程序、数据； • 与外存储器、外设交换数据的缓冲存储。 中央 处理器 数据传输速度慢 内存储器 通 过 总 线 通 过 接 口 外存 储器
522内存的分类 半随机存储器动态存储器(DRAM) 导(AMRm静态存储器(SRAM 体 Access Memory) 算,存 可编程只读存储器(PRON 祝储(只读存储器可擦除可编程只读存储器( EPROM 器0Mem0o电可擦除可编程只读存储器 EEPROM)) 闪烁存储器( Flash Memory) 硬件技木基础 DRAM: Dynamic RAM SRAM: Static RAM PROM: Programmable ROM EPROM: Erasable PROm EEPROM: Electrically EPROM
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 半 导 体 存 储 器 随机存储器 (RAM: Random Access Memory) 只读存储器 (ROM: Read Only Memory) 闪烁存储器(Flash Memory) 动态存储器(DRAM) 静态存储器(SRAM) 可擦除可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 可编程只读存储器(PROM) DRAM: Dynamic RAM SRAM: Static RAM PROM: Programmable ROM EPROM: Erasable PROM EEPROM: Electrically EPROM 5.2.2 内存的分类
523内存的主要技术指标 y存储容量:存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。 以字节(BBye)为单位 1KB=210=1024B 算 1MB=220=1024KB=1,048576B 1GB=230=1024MB=1.048576KB=1,073,741.824B 硬。速度:读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳 定在MDR( Memory Data Register)的输出端为止的时间, 件般单位为nm10秒少 技·DRAM芯片:一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成 的内存条(模块):突发传送模式下读写速度可以达到 2ns。如DDR400的极限速度为2.5ns。 SRAM芯片:几个~十几ns。 础 带宽:(存储器位数/8)读取速度峰值,单位为MB/s
计 算 机 硬 件 技 术 基 础 5.2.3 内存的主要技术指标 ➢存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。 以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B 1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B ➢速度：读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳 定在MDR(Memory Data Register)的输出端为止的时间， 一般单位为ns(10-9秒)。 ▪ DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成 的内存条(模块)：突发传送模式下读写速度可以达到 2ns。如DDR400的极限速度为2.5ns。 ▪ SRAM芯片：几个~十几ns。 带宽：(存储器位数/8)X读取速度峰值，单位为MB/s