N沟道JFET在vc=0时的输出特性曲线: 击穿 恒流 区 保持w区 沟道预夹 电阻 A 断 2g= cs(ulI> 图1.4.3N沟道JFEI在v=0时的输出物性曲线
N沟道JFET在vGS=0时的输出特性曲线： 电阻 区 沟道预夹 断 恒流 区 击穿 区
P沟道Vs曲线: VDs为常数 0 GOff) 夹断电压 DSS 饱和漏极电流
VGS 0 ID IDSS VGS(off) 饱和漏极电流 夹断电压 P沟道ID－VGS曲线： VDS为常数
142.1转移特性曲线 ip(mA) in(mA) Uos=Ucs-I GS() UGS I区 1区 Ⅳ区 3 C V 1.61.20.80.40vcs(V)0 10.12tns(V) (b) 图1.4.5N沟道JFET伏安特性曲线 (a)转移特性曲线;(b)输出特性曲线
1.4.2.1 转移特性曲线
转移特性描述的是:vDs一定时,vc对i的控制特性。 转移特性方程(不考虑沟道长度调制效应): ˇGS)2 D DSS DS SGS(o∥) GS(Q∥ 式中:Is表示饱和漏极电流。是vs=0,vms= GsiofoI 时的漏极电流。 VGS(off表示夹断电压。是沟道夹断所需的vGs值 结论:i和vcs成平方律关系,与BJT的输出特性不同
转移特性描述的是：vDS一定时，vGS对iD的控制特性。 转移特性方程（不考虑沟道长度调制效应）： (1 ) [ ( ] ( ) 2 ( ) DS GS GS off GS off GS D DSS v v V V v i = I − − 式中：IDSS 表示饱和漏极电流。是vGS=0，vDS=|VGS(off)| 时的漏极电流。 VGS(off) 表示夹断电压。是沟道夹断所需的VGS值。 结论：iD和vGS成平方律关系，与BJT的输出特性不同
142.2输出特性曲线 四个区:Ⅸ区一可变电阻区; D(mA) Ⅱ区一放大区(恒流区); 0.8 Ⅲ区一截止区; IV区一击穿区 0.6 1.可变电阻区 0.2 DS极间呈现沟道预夹断前 120 UIs(mV 0.2 的沟道体电阻,该体电阻 值由ⅴc控制。 0.6 0.8 图1.4.6JFET的线性压控电阻特性
1.4.2.2 输出特性曲线 四个区：I区－可变电阻区； II区－放大区（恒流区）； III区－截止区； IV区－击穿区； 1. 可变电阻区 DS极间呈现沟道预夹断前 的沟道体电阻，该体电阻 值由vGS控制