第一章集成电路元、器件基础 介绍半导体的有关基础知识,阐述PN结的原理及主要特性, 讨论以PN结为基本结构的双极型晶体三极管(BJT)和场效应管 (FET)的工作原理、特性及主要参数
第一章 集成电路元、器件基础 介绍半导体的有关基础知识，阐述PN结的原理及主要特性， 讨论以PN结为基本结构的双极型晶体三极管（BJT）和场效应管 （FET）的工作原理、特性及主要参数
1.1半导体基础知识 半导体的概念:导电能力处于导体和绝缘体之间的材料; 原子之间的共价键很弱。 价电子 +32 +14 惯性核 价电子 电子 原子核 图1.1.1锗和硅原子结构模型 (a)Ge;(b)Si;(c)惯性核
1.1 半导体基础知识 半导体的概念：导电能力处于导体和绝缘体之间的材料； 原子之间的共价键很弱
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层 电子(价电子)都是四个。 锗原子示意图 硅原子示意图
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层 电子（价电子）都是四个。 Ge Si 锗原子示意图 硅原子示意图
1.1.1本征半导体 概念:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 电子能量E 共价键 导带 E 禁带 价带 图1.1.2共价键结构示意图 图1.1.3价电子的能带图
1.1.1 本征半导体 概念：完全纯净的、结构完整的半导体晶体
在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个 原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶 点,每个原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电 子 硅和锗的 晶体结构:
在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个 原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶 点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电 子。 硅和锗的 晶体结构：