JFET工作原理(以P沟道为例): 但当V较小时,耗尽区宽 UDs=0V时 度有限,存在导电沟道。 D DS间相当于线性电阻。 G越大耗尽区越宽,沟道 DS 越窄,电阻越大。 GS S
P G S D VDS VGS N N ID UDS=0V时 N N VGS越大耗尽区越宽，沟道 越窄，电阻越大。 但当VGS较小时，耗尽区宽 度有限，存在导电沟道。 DS间相当于线性电阻。 JFET工作原理（以P沟道为例）：
JFET工作原理(以P沟道为例): 达到一定值时(夹断 电压aso),耗尽区碰到D↓D UDs=0时 起,DS间被夹断,这时 即使Vns≠0V,漏极电流 DS D=0A。 GS
UDS=0时 P G S D VDS VGS N N ID VGS达到一定值时（夹断 电压VGS(off)）,耗尽区碰到 一起，DS间被夹断，这时， 即使VDS 0V，漏极电流 ID=0A。 JFET工作原理（以P沟道为例）：
JFET工作原理(以P沟道为例): 越靠近漏端,PN结反 D 压越大。 沟道中仍是电阻特性 但是是非线性电阻 DS GS GS GS(ofn 且V DS0、GDGS(om 时耗尽区的形状
P G S D VDS VGS N N 越靠近漏端，PN结反 压越大。 ID VGS<VGS(off)且VDS>0、VGD<VGS(off) 时耗尽区的形状。 JFET工作原理（以P沟道为例）： 沟道中仍是电阻特性， 但是是非线性电阻
漏端的沟道被夹断,称下例): LaSofn VGD-VGslofni时 为预夹断。 D Ds增大则被夹断区 向下延伸。 DS G GS S
JFET工作原理（以P沟道为例）： G S D VDS VGS VGS<VGS(off) VGD=VGS(off)时 N N ID VDS增大则被夹断区 向下延伸。 漏端的沟道被夹断，称 为预夹断
JFET工作原理(以P沟道为例):vs<Vmm时 此时,电流J由未被夹断 D D 区域中的载流子形成, VD变化时,未夹断区的 长度有少量变化,但两端 DS 的电压不变,电场强度变囗N 化不大,因此L基本不随 Ds的增加而增加,呈恒 流特性
G S D VDS VGS N N 此时，电流ID由未被夹断 区域中的载流子形成， VDS变化时，未夹断区的 长度有少量变化，但两端 的电压不变，电场强度变 化不大，因此ID基本不随 VDS的增加而增加，呈恒 流特性。 ID JFET工作原理（以P沟道为例）： VGS<VGS(off) VGD=VGS(off)时