14场效应晶体管(FET) 本节讨论结型场效应管JFET和金属一氧化物一半导体构 成的绝缘栅场效应管 MOSFET 41JFET的结构、工作原理和特性 漏极 源极 G9上栅极9D G95 型 P P型 N型 导电沟道\离 N隐埋层 P型衬底 P型村底 G下校 图14.1JFET的结构图 (a)分立N约道JFET结构示意图:(b)集成P内JFET结构图
1.4 场效应晶体管（FET） 本节讨论结型场效应管JFET和金属－氧化物－半导体构 成的绝缘栅场效应管MOSFET。 1.4.1 JFET的结构、工作原理和特性
JFET结构: 基底:N型半导体 D(漏极) N G(栅极) 两边是P区 导电沟道 S(源极)
N 基底 ：N型半导体 P P G(栅极) 两边是P区 S(源极) D(漏极) JFET结构： 导电沟道
N沟道结型场效应管JFET号: D漏极 N G(栅极) G S 0S源极
N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管JFET符号： D G S
P沟道结型场效应管JFET符号: D漏极 D G(栅极) G N S 0S源极
P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管JFET符号： D G S
JFET工作原理(以P沟道为例): DS 0V时 PN结反偏,V越大 则耗尽区越宽,导电 D D 沟道越窄。 DS G GS S
JFET工作原理（以P沟道为例）： VDS=0V时 P G S D VDS VGS N N ID PN结反偏，VGS越大 则耗尽区越宽，导电 沟道越窄