霍尔效应及其应用
霍尔效应及其应用
■尔效应是一种磁电效应，是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855一1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。磁场垂直电流时，导体垂直磁场的两侧产生电势差，这一现象称为霍尔效应。■现今，高灵敏度的半导体霍尔器件广泛地应用。例如，接近开关，霍尔乘法器，位置测量，转速测量，和电流测量设备。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法，通过测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数
◼ 尔效应是一种磁电效应，是美国物理学家霍 尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研 究金属的导电机构时发现的。 ◼ 磁场垂直电流时，导体垂直磁场的两侧产生 电势差，这一现象称为霍尔效应。 ◼ 现今，高灵敏度的半导体霍尔器件广泛地应用。例如，接 近开关，霍尔乘法器，位置测量，转速测量，和电流测量 设备。 ◼ 霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法，通过测定的 霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度 及载流子迁移率等重要参数
霍尔传感器及应用霍尔接近开关霍尔电流传感器SA霍尔传感器霍尔传感器测转速霍尔位置传感器
霍尔传感器及应用 霍尔电流传感器 霍尔接近开关 霍尔位置传感器 霍尔传感器测转速
【实验目的】研究霍尔效应的基本特性（1）了解霍尔效应实验原理；(2)测绘霍尔元件的 Va-I.和Vu-I曲线：（3）测量霍尔元件的霍尔系数，确定导电类型
【实验目的】 研究霍尔效应的基本特性 （1）了解霍尔效应实验原理； （2）测绘霍尔元件的 和 曲线； （3）测量霍尔元件的霍尔系数，确定导电类 型。 V I H S − V I H M −
【实验原理】1：霍尔效应霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。FEFEBteEHEHIsFBFB0TA!A'（a）载流子为电子（N型）；（b）奉载流子为空穴（P型）F =eEFβ =evB平衡时H
【实验原理】 霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而 引起的偏转。 E FE b d FB v I S -e FE FB v +e E I S x y B H H A A' A A' （a）载流子为电子（N型）；（b）载流子为空穴（P型） 1 ．霍尔效应 F vB B = e = F eE E H = 平衡时