北京交通大学Bei jing Jiaotong University近似解E2个EAE,E;+nE4EE2E2moE+nnono反射损耗E,EE,2n2mo4nonEEE+n+n(+)E(n+)2To20log10RaB = 20log1020log10E4mom4m
⚫ 近似解 反射损耗
北京交通大学Beijing JiaotongUniversity吸收损耗o0.37Eo入射电磁波E。剩余电磁波EE = Ee-αb=Epe-b/8A(dB)= 20 lg(Eo / Ei)= 20 lg(e b/8)b的单位：mmA(dB) = 0.131b/furr
吸收损耗 A (dB)＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e b / ) b 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e -b =E0e -b/ 0.37E0 𝐴 dB = 0.131𝑏 𝑓𝑢𝑟𝜎𝑟 b的单位：mm
100007坡莫合金(2mm）3坡莫合金（0.5mm）1000Fe(2mm)7-Fe(0.5mm)3Cu(2mm)100白铁皮（2mm）7Cu(0.5mm)白铁皮（0.5mm）3107-111100.11000.01频率1/MHz不同材料不同厚度金属体的吸收损耗
不同材料不同厚度金属体的吸收损耗
北京交通大学Beijing JiaotongUniversity结论屏蔽材料越厚，吸收损耗越大，厚度每增加一个趋肤深度，吸收损耗增加约9dB；屏蔽材料的磁导率越高，吸收损耗越大；屏蔽材料的电导率越高，吸收损耗越大；被屏蔽电磁波的频率越高，吸收损耗越大
结 论 • 屏蔽材料越厚，吸收损耗越大， 厚度每增加一个 趋肤深度，吸收损耗增加约9dB； • 屏蔽材料的磁导率越高，吸收损耗越大； • 屏蔽材料的电导率越高，吸收损耗越大； • 被屏蔽电磁波的频率越高，吸收损耗越大