北京交通大学1.屏蔽效能Beijing Jiaotong University屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强与有屏蔽时该位置的场强的比值，它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。如果屏蔽效能计算中使用的磁场，则称为磁场屏蔽效能；如果计算中用的是电场，则称为电场屏蔽效能：Ho.oPo.t0SE=20lg(E,/E2)dBESE=201g(H/ H) dBE.对于远场，SEe=SEH-SE，AE即电场屏蔽效能和磁场屏蔽效能一致，统称为电磁屏蔽效能：SE=20lg(E,/ E2)=20lg(H/ H,) dB
1. 屏蔽效能 屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强与有屏蔽时该位置的场 强的比值，它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。如果屏蔽效能计 算中使用的磁场，则称为磁场屏蔽效能；如果计算中用的是电场， 则称为电场屏蔽效能： 对于远场，SEE=SEH=SE， 即电场屏蔽效能和磁场屏 蔽效能一致，统称为电磁 屏蔽效能： SEE = 20 lg ( E1 / E2 ) dB SEH = 20 lg ( H1 / H2 ) dB SE = 20 lg ( E1 / E2 ) = 20 lg ( H1 / H2 ) dB
北京交通大学Beijing JiaotongUniversity金属板对电磁波的屏蔽A面B面■电磁屏蔽的原理入射波E=1折射波Tan=1-Ram入射波(1-Rm)e-h■反射损耗反射波Ral=Ram折射波Ta(1-R)(l-Rm）■吸收损耗反射波R(1-R)e-tR入射波(1-Rm)e-2bRIm(1Rm)e-2bRm(1Rma)■多次反射损耗(1-R)e-23kbR2(1-Ram)e-3bR2(1-Rma)(1-Ram)e-30R3屏蔽效能：SE=A·R·BSE(dB) = A(dB) + R(dB) + B(dB)
◼ 电磁屏蔽的原理 ◼ 反射损耗 ◼ 吸收损耗 ◼ 多次反射损耗 金属板对电磁波的屏蔽 𝑆𝐸 = 𝐴 ∙ 𝑅 ∙ 𝐵 𝑆𝐸 𝑑𝐵 = 𝐴 𝑑𝐵 + 𝑅 𝑑𝐵 + 𝐵(𝑑𝐵) 屏蔽效能：
北京交通大学——远场源2.屏蔽效能Beijing.JiaotongUniversity当入射场距离屏蔽体足够远时，入射波近似为均匀平面波，屏蔽体由厚度远大于入射波频率上的趋肤深度的良导体构成精确解E=Ere-a-鲁anHo.t0Po.f0E,=EzearEEzerayi2AEE,=Eje-iporaHEle-iporayE,=Efe-iozaxmoEteHe-jporaymaE,=ErejpozaErejporayA,=0no
2. 屏蔽效能——远场源 当入射场距离屏蔽体足够远时，入射波近似为均匀平面波，屏蔽体由厚 度t远大于入射波频率上的趋肤深度的良导体构成 ⚫ 精确解
北京交通大学Bei jing Jiaotong Universityjou=Vjou(α+jwe)n=Va+jwe=α+jβ=n/0mHo.0O.t0Z-0的表面EEl=0 +E,l=0 =Eile=0 +E2l2=0EHilz=0+H,2=0=Hilz=0+H2lz=0HEβo=WMoEOz-t 的表面MoEil=r + E2le=r = E,le=moEOBo=0MoEOo.Hil=t + H2lz=t = Hrlz=CA=oMoEO
z=0的表面 z=t 的表面
北京交通大学Bei jing Jiaotong UniversityE,(m +)2moE4mnmo%-n导体的固有阻抗远小于自由空间的固有阻抗≥1%+ny=e-αae-iBt=e-t/8e-ipt<1 fort》8趋肤深度远小于屏蔽体的厚度Ei(m+n)21/8因此,t/sE4m4monmo10SEaB = 20log10+20log10+MaB4AdBRaB2B≥ 201og10 |1 - e-21/8e-j21/8MaB=20log10多次反射因子%+n
导体的固有阻抗远小于自由空间的固有阻抗 趋肤深度远小于屏蔽体的厚度t 因此， 多次反射因子