U CC 定性分析 Rc lO-uCE Ic T BE 9 载流子聚散 C(sat I 0.1/ C(sat) iait, I 稳态等效电路 C B C BE(sat)T CE(sat) IcEsat E E 1个 晶体管瞬态开关特性
6 定性分析 载流子聚/ 稳态等效电路 散
uI R T CH r u a CL 短路型BJT模拟开关 串联型BT模拟开关 T1 串联一短路型BT模拟开关7
7
D 10V 9V 7V 6V gs=4V DD D R D T G G G S S (a)MOS开关电路(b)关断等效电路c)开通等效电路 8
8
开关速度比BJT低 杂散电容 时间常数较大 放 充电 电 截止\!导通/截止 (a)电容充放电示意图 (b)波形图 MOS管的瞬态特性
9 开关速度比BJT低 杂散电容 时间常数较大
uGs==lI 单个MOS模拟 电路中NMOS管 开关原理电路 的ra,与输入u1的关系曲线 沟道|N沟道 G D 反相器 并联 CMOS模拟开关单元原理电路 CMOS开关漏-源 电阻r与u1的关系曲线 Complementary-Symmetery Mental-Oxide-Semiconductor
10 uGS=uC-uI Complementary-Symmetery Mental-Oxide-Semiconductor