晶体管及其小信号放大 场效应管放大电路
1 晶体管及其小信号放大 －场效应管放大电路
场效应晶体管(FET) 电压控制器件 次多子导电 々输入阻抗髙噪声低,热稳定好抗辐射,工 艺简单便于集成,应用广泛
2 场效应晶体管(FET) 电压控制器件 多子导电 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工 艺简单,便于集成,…应用广泛
§4场效应品体管及场效应管放大电路 §4.1场效应晶体(FET) N沟道 JFET (耗尽型) 结型 P沟道 FET N沟道 场效应管 增强型 IGFET P沟道 绝缘栅型(耗尽型 N沟道 P沟道
3 §4 场效应晶体管及场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管(FET) N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 IGFET 绝缘栅型
§41.1结型场效应管 一、结构 耗尽层 D漏极 栅极 N沟道 s源极 D 利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来8 改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流 S
4 一、结构 § 4.1.1 结型场效应管 栅极 漏极 源极 N沟道 利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来 改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流
二、群原理(以N沟道为例) D受Us和UDs的控制 正常工作:Us<=0,U1s>0V PN结反偏,|Uos越 大则耗尽层越宽, D 导电沟道越窄,电 阻越大。 U DS 初始就有沟道, G 是耗尽型。 GS 5
5 UGS 二、工作原理（以N沟道为例） 正常工作:UGS<=0, UDS>0V PN结反偏，|UGS|越 大则耗尽层越宽， 导电沟道越窄，电 阻越大。 ID 初始就有沟道， 是耗尽型。 ID受UGS和UDS的控制