原子散射 ·原子散射因子：= Aa Ae 9 ·f随sin/n增大而减小 R2 原子中电子间距小于射线半波 长川2，散射波之间周相差小 于π，即任何位置都不会出现 6 散射波振幅完全抵消
原子散射 • 原子散射因子： 6 L1 L2 R1 R2 R3 R4 A B 原子中电子间距小于射线半波 长λ/2，散射波之间周相差小 于π，即任何位置都不会出现 散射波振幅完全抵消 • f 随sin/ 增大而减小 e a A A f
结构振幅 -4-∑fe A。 =1 ·一个晶胞散射振幅Ac,即晶胞中全部电 子相干散射合成波振幅，与一个电子散射 波振幅Ae之比值. 50 7
结构振幅 • 一个晶胞散射振幅 Ac，即晶胞中全部电 子相干散射合成波振幅，与一个电子散射 波振幅 Ae之比值. n j i j e c hkl j f e A A F 1 rj 7
结构振幅 4=2f,e =1 衍射条件 (S-So)lA=gnkI p=(2π/2)5，=2πr,·(S-S)/ =ha+kb+lc 坐标矢量 FM=∑，e2as,) r-xatyb+zc, Fw=∑fcos2π(hx,+y,+E,)+isin2π(hx,+y,+lz,】 8
结构振幅 n j i j e c hkl j f e A A F 1 8 j 2 j 2 rj S S0 衍射条件 (S-S0 )/λ=ghkl =ha *+kb*+lc * 坐标矢量 rj=xja+yjb+zjc， n j i hx ky lz hkl j j j j F f e 1 2 ( ) n j hkl j j j j j j j F f h x k y lz i h x k y lz 1 cos2 ( ) sin 2 ( )
结构因子(structure factor)Fhk2 E2-Fw5w=[∑jcos2hx,+ky,+,)月 +[∑2jsim2xx,+,+e,)小 射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射 强度/与一个电子散射强度/。之间关系 I。=|FI。 IFhk2决定晶胞散射强度，即为结构因子，与 原子种类()、原子位置（月、晶胞中原子数(） 和衍射晶面有关。 9
射线强度正比于振幅的平方，一个晶胞散射 强度Ic与一个电子散射强度Ie之间关系 |Fhkl| 2决定晶胞散射强度，即为结构因子，与 原子种类(f i )、原子位置(rj )、晶胞中原子数(n) 和衍射晶面有关。 c hkl e I F I 2 2 1 2 1 2 * sin 2 ( ) cos2 ( ) n j j j j j n j hkl hkl hkl j j j j f h x k y lz F F F f h x k y lz 9 结构因子(structure factor)Fhkl 2
结构因子的计算 ·简单点阵中每个晶胞中只有一个原子，原子数 n=1,坐标(000)。 Fnkt=[fcos2π(0)]2+[fsin2π(0)]2=f2 原子的散射强度就是晶胞的散射强度，结构因子与 hk无关，不存在消光 h2+k2+P之比： 1:2:3:4:5:6:8:9:10:11:12:13:14:16:… 复杂点阵中每个晶胞中包含多个原子，原子散射波 之间周相差将引起波的干涉效应，合成波被加强或 减弱，甚至布拉格衍射也会消失。 10
结构因子的计算 • 简单点阵中每个晶胞中只有一个原子，原子数 n=1，坐标(000) 。 10 • 复杂点阵中每个晶胞中包含多个原子，原子散射波 之间周相差将引起波的干涉效应，合成波被加强或 减弱，甚至布拉格衍射也会消失。 原子的散射强度就是晶胞的散射强度，结构因子与 hkl无关，不存在消光 𝐹ℎ𝑘𝑙 2 = 𝑓𝑐𝑜𝑠2𝜋(0) 2 + 𝑓𝑠𝑖𝑛2𝜋(0) 2= 𝑓 2 h 2+k2+l2之比： 1: 2: 3: 4: 5: 6: 8: 9: 10: 11: 12: 13: 14: 16:…