集中式 周期01 38713872 39990 地址 01 127 序号 读/写维持一 新 刷新间隔(2ms)
集中式
系统周期 (127) y m-+tr 刷新间隔128个系统周期(128s) 分散刷新方式
分散刷新方式
异步式刷新方式是前两种方式的结合 刷新周期为2ms,完成128行的所有存储元刷新 则需要2000us/128=155us 标准的刷新方式两种 1、只用RAS信号的刷新 2、CAS在RAS之前的刷新
异步式刷新方式是前两种方式的结合 刷新周期为2ms ，完成128行的所有存储元刷新 则需要 2000us / 128 = 15.5us 标准的刷新方式两种 1、只用RAS信号的刷新 2、CAS在RAS之前的刷新
【例2】说明1M×1位DRAM片子的刷新方法,刷新周期定为8ms 如果选择一个行地址进行刷新,刷新地址为A0-A8,因此这 行上的2048个存储元同时进行刷新, 即在8ms内进行512个周期的刷新。按照这个周期数, 512×2048=1048567,即对1M位的存储元全部进行刷新。 刷新方式可采用:在8ms中进行512次刷新操作的集中刷新方式, 或按8ms:512=15.5μ刷新一次的异步刷新方式
【例2】 说明1M×1位DRAM片子的刷新方法，刷新周期定为8ms 如果选择一个行地址进行刷新， 刷新地址为A0—A8，因此这 一行上的2048个存储元同时进行刷新， 即在8ms内进行512个周期的刷新。按照这个周期数， 512×2048＝1 048 567，即对1M位的存储元全部进行刷新。 刷新方式可采用：在8ms中进行512次刷新操作的集中刷新方式， 或按8ms÷512＝15.5μs刷新一次的异步刷新方式
5.存储器控制电路 DRAM存储器的刷新需要有硬件电路的支持,包 括刷新计数器、刷新/祊存裁决、刷新控制逻辑等。 这些控制线路形成DRAM控制器,它将CPU的信 号变换成适合DRAM片子的信号
5. DRAM存储器的刷新需要有硬件电路的支持，包 括刷新计数器、刷新/访存裁决、刷新控制逻辑等。 这些控制线路形成DRAM控制器，它将CPU的信 号变换成适合DRAM片子的信号