3.2.2DRAM存储器 1.四管动态存储元 四管的动态存储电旿是将六管静态存储元电路 中的负载管T3,T4去掉而成的 2.单管动态存储元
3.2.2 DRAM存储器 1．四管动态存储元 四管的动态存储电路是将六管静态存储元电路 中的负载管T3，T4去掉而成的 2
单管存储元电路和四管存储元电路对比 名称 优点 缺点 外围电路比较简 四管存储 单 管子多,占用的芯片面 元电路 刷新时不需要另加积大 外部逻辑 需要有高鉴别能力的读出 单管存储元件数量少,集成放大器配合工作 元电路度高 外围电路比较复杂
单管存储元电路和四管存储元电路对比 名 称 优 点 缺 点 四管存储 元电路 外围电路比较简 单， 刷新时不需要另加 外部逻辑 管子多，占用的芯片面 积大 单管存储 元电路 元件数量少，集成 度高 需要有高鉴别能力的读出 放大器配合工作 外围电路比较复杂
3.DRAM存储芯片实例 下图是16K×1位的DRAM存储器片2116的逻辑结构示意图。 64条选择线32128存储元 译码 128输出放大器 32*128在储元 Dout 28输出放大器的译码 器和I/0门 Din 5条选择线32*128存储元 输入数据锁存器 译码器 128输出放大器 32*128存储元 写命令锁存器 7位地 位地 址锁 址锁 存器 16K*1位DRAM芯片 A0 A6
3. DRAM存储芯片实例 下图是16K×1位的DRAM存储器片2116的逻辑结构示意图
读写周期时序图 P82
读写周期时序图 P82
4.DRAM的刷新 动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上 次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全 部刷新一遍为止,这一段时间间隔叫刷新周期 常用的刷新方式有三种, 种是集中式 另一种是分散式 第三种是异步式
4.DRAM的刷新 动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。从上 一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全 部刷新一遍为止，这一段时间间隔叫刷新周期。 常用的刷新方式有三种， 一种是集中式 另一种是分散式 第三种是异步式