薇6.22只读存储器 理>正常的工作状态,ROM只能读出 特殊的编程状态,多数ROM芯片也能写入 术>有些ROM芯片需要特殊方法先将原数据擦除, 然后才能编程 ROM芯片的集成度较高,但速度较DRAM还要 酸慢,一般用来保存固定的程序或数据 出>ROM芯片数据可长期保存,掉电亦不丢失, 图属于非易失性存储器件
微 机 原 理 与 接 口 技 术 · 第 4 版 机 械 工 业 出 版 社 6.2.2 只读存储器 ➢正常的工作状态，ROM只能读出 ➢特殊的编程状态，多数ROM芯片也能写入 ➢有些ROM芯片需要特殊方法先将原数据擦除， 然后才能编程 ➢ROM芯片的集成度较高，但速度较DRAM还要 慢，一般用来保存固定的程序或数据 ➢ROM芯片数据可长期保存，掉电亦不丢失， 属于非易失性存储器件
1.主要类型 理≥MROM(掩膜ROM) 接 掩膜工艺直接制作 榮0P-ROM(一次性编程ROM) 第 允许用户进行一次性编程 版≥ EPROM(可擦除可编程ROM) 机 紫外光擦除、并可重复编程的ROM 械 ≥ EEPROM(电擦除可编程ROM 出 版 擦除和编程(擦写)通过加电进行 社> Flash Memory(闪速存储器) ●新型的电擦除可编程ROM nbond 快速擦除整片或数据块 29c020-90 9010282131501YA
微 机 原 理 与 接 口 技 术 · 第 4 版 机 械 工 业 出 版 社 1. 主要类型 ➢MROM（掩膜ROM） 掩膜工艺直接制作 ➢OTP-ROM（一次性编程ROM） 允许用户进行一次性编程 ➢EPROM（可擦除可编程ROM） 紫外光擦除、并可重复编程的ROM ➢EEPROM（电擦除可编程ROM） 擦除和编程（擦写）通过加电进行 ➢Flash Memory（闪速存储器） 新型的电擦除可编程ROM 快速擦除整片或数据块
HL 2. EPROM 理>2764 EPROM 接 pp 28HVcc 存储容量64K位 A12 27H PGM 技 不>存储结构8KX8 A7-3 26 NC A6 25A8 >13个地址线:A12~A0A5-5 24A9 版 机>8个数据线:07~00 A4-6 23}A11 A3-7 22HoE >控制信号 A2 A10 出 A1 20HCE 版 ●片选:CE A0-10 07 社·输出:0E* 00 1806 编程控制:PGM 01-12 05 02+13 164 ●编程电源:Vpp GND-14 03
微 机 原 理 与 接 口 技 术 · 第 4 版 机 械 工 业 出 版 社 2. EPROM ➢2764 EPROM ➢存储容量64K位 ➢存储结构8K×8 ➢13个地址线：A12～A0 ➢8个数据线：O7～O0 ➢控制信号 片选：CE* 输出：OE* 编程控制：PGM* 编程电源：Vpp
EPROM工作方式 工作方式E|葩|PM|Ave|vp|07~00 术 读出 1×+5|+5输出 第读出禁止 x+5|+5高阻 待用 xxx+3+高阻 根读mtl标识符00+12x71|+5+5输出编码 业标准编程01负脉冲|x+5|+25输入 出 HM:编程 01|负脉冲x|+5|+25输入 编程校验 1×|+y+2输出 编程禁止1 x+5|+25高阻
微机原理与接口技术·第4版机械工业出版社 EPROM工作方式
薇3.F| lash Memory 理AT29c040A 接 存储结构:512K×8 A181 32 Vcc 技 A162 WE 不>有19个地址引脚A18~A0415330A7 8个数据引脚I/07~I/0047+523413 版 A6-6 27A8 机3个控制引脚 A57 26A9 械 A48 25 A11 ●片选CS* a3 24 业 H·输出允许OE* A210 23A10 版 A1 22 CE 社·写允许W A0-12 I/O7 扇区(256字节)擦写 Io0-13 20Io6 IO1-14 19Io5 查询擦写是否完成 IO2-15 18Io4 GND -16 17o3
微 机 原 理 与 接 口 技 术 · 第 4 版 机 械 工 业 出 版 社 3. Flash Memory ➢AT29C040A ➢存储结构：512K×8 ➢有19个地址引脚A18～A0 ➢8个数据引脚I/O7～I/O0 ➢3个控制引脚 片选CS* 输出允许OE* 写允许WE* ➢扇区（256字节）擦写 ➢查询擦写是否完成