牢科学技术学院 随机读写存储器静态M存储器 °写周期:要实现写操作,必须要求片选 信号和写信号都为低。而且在地址变化 期间,写信号必须为高(即无效)。 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 21 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——静态MOS存储器 • 写周期：要实现写操作，必须要求片选 信号和写信号都为低。而且在地址变化 期间，写信号必须为高（即无效）
牢科学技术学院 随机读写存储器动态M0存储器 动态存储器的组成 四管动态存储器 单管动态存储器 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 22 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——动态MOS存储器 • 动态存储器的组成 – 四管动态存储器 – 单管动态存储器
牢科学技术学院 读出"0”的过程 TS T10 四管动态存储元 字选择线(X 在六管静态存储元电路中, 信息暂存于T1,m2管的栅极,这 是因为管子总是存在着一定的电 容。负载管T3,74是为了给这些 存储电荷补充电荷用的。 由于MOS的栅极电阻很高 日说明:■高 故泄漏电流很小,在一定的时间 内这些信息电荷可以维持住。为 了减少管子以提高集成度,把负 载管73,T4去掉,这样变成了四 管的动态存储电路。 2021年2月20日1时6分
2021 年 2 月20 日 1 时 6 分 23 2021年2月20日1时6分 •四管动态存储元 在六管静态存储元电路中， 信息暂存于 T1 ， T2管的栅极，这 是因为管子总是存在着一定的电 容。负载管 T3 ， T4是为了给这些 存储电荷补充电荷用的。 由于MOS的栅极电阻很高， 故泄漏电流很小，在一定的时间 内这些信息电荷可以维持住。为 了减少管子以提高集成度，把负 载管 T3 ， T4去掉，这样变成了四 管的动态存储电路
牢科学技术学院 写操作:O与O加相反的 读出"0”的过程 电平,当T5,T6截止时,靠T1 T2管栅极电容的存储作用,在 T10 定时间内(如2ms可保留所 写入的信息。 字选择线(X 读操作:先给出预充信号, 使T9,T10管导通,位线D和 D上的电容都达到电源电压。 字选择线使T5,T6管导通时, 存储的信息通过A,B端向位 线输出。 刷新操作:为防止存储的 说明: 信息电荷泄漏而丢失信息,由 ■低 外界按一定规律不断给栅极进 位选择线 行充电,补足栅极的信息电荷。 )四管,作游 2021年2月20日1时6分
2021 年 2 月20 日 1 时 6 分 24 2021年2月20日1时6分 • 写操作:I/O 与I/O加相反的 电平，当T5,T6截止时，靠T1 ， T2管栅极电容的存储作用，在 一定时间内 ( 如2ms)可保留所 写入的信息。 • 读操作 :先给出预充信号， 使T9 ，T10管导通，位线 D 和 D上的电容都达到电源电压。 字选择线使T5 ，T6管导通时， 存储的信息通过 A ， B端向位 • 刷新操作 :为防止存储的 信息电荷泄漏而丢失信息，由 外界按一定规律不断给栅极进 行充电，补足栅极的信息电荷
②窄大界科学技术学院 单管动态存储元 数据线 它由一个管子和字选线 个电容C构成,写入 时,字选择线为“1” T1管导通,定入信息由 C 位线(数据线)存入电 ,,,, 荷C上的电荷,通过T1 CE 输出到数据线上,通过 读出放大器即可得到存 储信息。 b管动态存猜电 2021年2月20日1时6分
2021 年 2 月20 日 1 时 6 分 25 2021年2月20日1时6分 •单管动态存储元 它由一个管子 T1 和 一个电容 C构成 ，写入 时 ，字选择线为 “ 1 ” ， T1管导通 ，定入信息由 位线 （数据线 ）存入电 荷 C上的电荷 ，通过 T1 输出到数据线上 ，通过 读出放大器即可得到存 储信息