牢科学技术学院 单管存储元电路和四管存储元电路对比 名称 优点 缺点 四管存储元电路外围电路比较简单, 管子多,占用的芯片面积大 刷新时不需要另加外部逻辑 ·单管存储元电路元件数量少,集成度高需要有高鉴别能力的读出放 大器配合工作,外围电路比 较复杂。 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 26 2021年2月20日1时6分 • 单管存储元电路和四管存储元电路对比 • 名 称 优 点 缺 点 • 四管存储元电路 外围电路比较简单， 管子多，占用的芯片面积大 • 刷新时不需要另加外部逻辑 • 单管存储元电路 元件数量少，集成度高 需要有高鉴别能力的读出放 大器配合工作，外围电路比 较复杂
牢科学技术学院 随机读写存储器动态MoS存储器 动态存储器的操作 写入操作 读出操作 刷新操作 2021年2月20日1时6分 7
2021年2月20日1时6分 27 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——动态MOS存储器 • 动态存储器的操作 – 写入操作 – 读出操作 – 刷新操作
牢科学技术学院 随机读写存储器动态MOS存储器 动态RAM的存储元件依靠电容上的电荷表示存 储的数据信息,而电容的绝缘电阻不可能无限 大,因此漏电不可避免。 °每隔一定的肘间就对存储体中金部的存储电进 行充电,以补充所消失的电荷,维持原存信息 不变,这个过程称为“刷新”。 星然,只要定肘给金部存储元电路执行一边读 操作,而信息不向外输出,那么就可实现信息 再生或刷新。 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 28 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——动态MOS存储器 • 动态RAM的存储元件依靠电容上的电荷表示存 储的数据信息，而电容的绝缘电阻不可能无限 大，因此漏电不可避免。 • 每隔一定的时间就对存储体中全部的存储电进 行充电，以补充所消失的电荷，维持原存信息 不变，这个过程称为“刷新” 。 • 显然，只要定时给全部存储元电路执行一边读 操作，而信息不向外输出，那么就可实现信息 再生或刷新
牢科学技术学院 随机读写存储器动态Mos存储器 DRAM的刷新 集中式刷新 分散式刷新 异步式刷新 刷新周期:从上一次对整个存储器刷新结束 到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止 这一段肘间称为刷新时间。一般为:2ms, 4ms. 8ms DRAM的刷新针对芯片进行刷新 2021年2,意在计算时算到芯片级就可以了
2021年2月20日1时6分 29 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——动态MOS存储器 • DRAM 的刷新 • 集中式刷新 • 分散式刷新 • 异步式刷新 •刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束 到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止， 这一段时间称为刷新时间。一般为：2ms, 4ms, 8ms •DRAM的刷新针对芯片进行刷新 特别注意在计算时算到芯片级就可以了
牢科学技术学院 随机读写存储器动态Mos存储器 集中式刷新 在整个的2MS的时间内集中对每 行进行刷新,刷新时读/写操作停止。每 行的刷新一般与一次的读/写周期相等。 01213870387138723871399 2021年2月20日1时6分
2021年2月20日1时6分 30 2021年2月20日1时6分 随机读写存储器——动态MOS存储器 • 集中式刷新 • 在整个的2MS的时间内集中对每一 行进行刷新，刷新时读/写操作停止。每 行的刷新一般与一次的读/写周期相等。 0 1 2 3870 3871 3872 3873 3999