1100°C下硅中的固溶度极限 杂质 固溶度极限( (atoms/cm3) Arsenic(As) 1.7x10 Phosphorus(p 1.1x10 Boron(b) 2.2x10 Antimony(Sb) 50x10 Aluminum(Al) 1.8x10 半导体制造技术 Table 17.3 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 1100°C 下硅中的固溶度极限 杂质 固溶度极限 (atoms/cm3 ) Arsenic (As) 1.7 x 1021 Phosphorus (P) 1.1 x 1021 Boron (B) 2.2 x 1020 Antimony (Sb) 5.0 x 1019 Aluminum (Al) 1.8 x 1019 Table 17.3
推进氧化 水 氧化物 杂质 (a) 淀积后的误差函数分布 H 歌 推进氧化后的高斯分布 晶圆杂质 晶圆纵深方向 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 推进氧化 水汽 氧化物 杂质 淀积后的误差函数分布 推进氧化后的高斯分布 晶圆杂质 浓度 杂质浓度 O 晶圆纵深方向 (b) (a)
扩散常用杂质源 杂质 杂质源 化学名称 ArsenIC (As) AsH 砷烷(gas) Phosphorus (p) PH 磷烷(gas) Phosphorus(P) POCI 三氯氧磷( liquid Boron(B) B,H 乙硼烷(gas) Boron(B) BF3 三氟化硼(gas) Boron(b) BB 三溴化硼( liquid) Antimony(sb) SbCl 五氯化锑( solid SEMATECH "Diffusion Processes, Furnace Processes and Related Topics, (Austin, TX: SEMATECH, 1994),P. 7 半导体制造技术 Table 17.4 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 扩散常用杂质源 杂质 杂质源 化学名称 Arsenic (As) AsH3 砷烷 (gas) Phosphorus (P) PH3 磷烷(gas) Phosphorus (P) POCl3 三氯氧磷 (liquid) Boron (B) B2H6 乙硼烷 (gas) Boron (B) BF3 三氟化硼 (gas) Boron (B) BBr3 三溴化硼 (liquid) Antimony (Sb) SbCl5 五氯化锑 (solid) SEMATECH “Diffusion Processes,” Furnace Processes and Related Topics, (Austin, TX: SEMATECH, 1994), P. 7. Table 17.4
离子注入 概况 掺杂剂浓度的控制 离子注入的优点 离子注入的缺点 离子注入参数 剂量 射程 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 离 子 注 入 • 概况 – 掺杂剂浓度的控制 – 离子注入的优点 – 离子注入的缺点 • 离子注入参数 – 剂量 – 射程
硅片工艺流程中的离子注入 硅片制造(前端) 硅片起始 薄膜 抛光 无图形硅片 完成的硅片 扩散 光刻 刻蚀 亻↓光刻胶把敵 测试/选 注入 注入后退火 硬膜掩蔽 (氧化硅或氮化 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 硅片工艺流程中的离子注入 注入 扩散 测试/拣选 刻蚀 抛光 完成的硅片 光刻 无图形硅片 硅片起始 薄膜 硅片制造 (前端) 硬膜掩蔽 （氧化硅或氮化硅） 注入后退火 光刻胶掩蔽