硅片中的掺杂区 掺杂气体 氧化硅散区影 氧化硅 p硅衬底 半导体制造技术 Figure 17.3 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 硅片中的掺杂区 氧化硅 氧化硅 p + 硅衬底 掺杂气体 N 扩散区 Figure 17.3
扩散 扩散原理 三个步骤 预淀积 推进 激活 掺杂剂移动 固溶度 横向扩散 扩散工艺 硅片清洗 杂质源 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 扩 散 • 扩散原理 – 三个步骤 • 预淀积 • 推进 • 激活 – 掺杂剂移动 – 固溶度 – 横向扩散 • 扩散工艺 – 硅片清洗 – 杂质源
扩散的概念 扩散是一种自然界及以发生的现象,扩散的发生 需要两个必要的条件:浓度差;过程所必须得能 掺杂区和结的扩散形成 扩散炉管 杂质 气流 之e题 ◆◆◆+◆◆ =P型杂质原子 N型杂质原子 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 扩散的概念 • 扩散是一种自然界及以发生的现象，扩散的发生 需要两个必要的条件：浓度差；过程所必须得能 量。 • 掺杂区和结的扩散形成 杂质 气流 扩散炉管 + = P 杂质原子 型 - = N 杂质原子 型
扩散后的晶园剖面图 AWWM +◆◆ 半导体制造技术 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 扩散后的晶园剖面图
硅中的杂质扩散 杂质 SiHSihSi 空位 Si a)硅晶体结构 b)替代扩散 在间隙位 置的杂质 在间隙位置被 转移的硅原子 Si c)机械的间隙转移 d)间隙扩散 半导体制造技术 Figure 17.4 by michael Quirk and Julian Serda 电信学院微电子教研室
电信学院 微电子教研室 半导体制造技术 by Michael Quirk and Julian Serda 硅中的杂质扩散 在间隙位置被 转移的硅原子 Si Si Si Si Si Si Si Si Si c) 机械的间隙转移 Si Si Si Si Si Si Si Si Si a) 硅晶体结构 b) 替代扩散 Si Si Si Si Si Si Si Si 空位 杂质 d) 间隙扩散 Si Si Si Si Si Si Si Si Si 在间隙位 置的杂质 Figure 17.4