(1)电注入一电检测(之一) FM Semic界面 早期:效率太低,<1% P.R. Hammar et al, PRL 83, 203(1999) S. Gardelis, et al, PRB 60, 7764 (1999)
（1）电注入―电检测 （之一） FM/ Semic 界面 早期：效率太低，<1％ P. R. Hammar et al，PRL 83，203（1999） S. Gardelis, et al, PRB 60,7764 (1999)
近期: (1)电注入一电检测(之二) FM一肖特基势垒一SC, 据称效率达到30%。 3 8 别人尚未重复! z4已 10 240K 20 A T. Hanbickia) et al APL o 16 80,1240(2002) 126 90K + ⊥⊥⊥⊥⊥L⊥⊥⊥⊥⊥ 0 050100150200250300 Temperature(K)
近期： （1）电注入―电检测 （之二） FM－肖特基势垒－SC， 据称效率达到 30％。 别人尚未重复！ A. T. Hanbickia) et al APL 80，1240 （2002）
(2)电注入一光检测(之一) 实验:磁性半导体电注入和偏振光检测 ( Nature402(1999)790;bd.408(200094 产生:P型一(Ga,Mn)As的自旋极化空穴 和N型-GaAs的非极化电子 进入 n GaAs量子阱复合, 产生极化的场致发光 (T=6K;H=10000e) 检测:偏振光检测
（2）电注入―光检测（之一） 实验：磁性半导体电注入 和 偏振光检测 (Nature 402 (1999)790; ibid. 408 (2000)944) 产生： P型－(Ga,Mn)As 的自旋极化空穴 和N型－GaAs的非极化电子 进入InGaAs量子阱复合， 产生极化的场致发光。 （T=6K; H=1,000 Oe） 检测：偏振光检测
(2)电注入一光检测 GaMnAs(p) (之二) GaAs spacer (O) GaAs substrate(n) 场致发光强度 (左) 100 极化度 四山 0.51.01.5 (右) 0 1251301351.401451.501551.60
（2）电注入―光检测 （之二） 场致发光强度 （左） 极化度 （右）
(3)光产生一光检测(之一) Wolf s a awschalom et al, Science 2001,294,1488 强激光Pump在半导体中, 产生了spin- polarized state, 此时的半导体等效于”磁体” 可以用 Farady-Ker应做光检测 Probe
（3）光产生―光检测（之一） Wolf S A Awschalom et al， Science， 2001，294，1488 强激光Pump在半导体中， 产生了 Spin-polarized state, 此时的半导体等效于”磁体”. 可以用Farady-Kerr 效应做光检测Probe