平板形 线位移 烟 架端 间队5 S型 3 平板形 避面 e 角位移 (m3 288 (mA)
水讯州年同1 KXXXXXXXX9 ☒KXXXX☒ 型 线位移 圆柱形 前变)
1、变极距型电容传感器 图中极板1固定不动，极板2为可动电极（动片），当动片随被 测量变化而移动时，使两极板间距变化，从而使电容量产生变 化，其电容变化量△C为 ES ES ES △6 △6 △C δ-△δδ 66-△6 6-△6 C,一极距为δ时的初始电容量。 Co 2 8 变极距型电容传感器 C-δ特性曲线
C- 特性曲线 1、变极距型电容传感器 图中极板1固定不动，极板2为可动电极(动片)，当动片随被 测量变化而移动时，使两极板间距变化，从而使电容量产生变 化 ，其电容变化量ΔC为 δ 2 变极距型电容传感器 1 C C0 C0—极距为δ时的初始电容量。 − = − − = − = C0 S S S C
讨论： 该类型电容式传感器存在着原理非线性，所以实际 应用中，为了改善非线性、常常作成差动式结构改 善其非线性
讨论： 该类型电容式传感器存在着原理非线性，所以实际 应用中，为了改善非线性、常常作成差动式结构改 善其非线性
2、变面积型电容传感器 变面积型电容传感器中，平板形结构对极距变化特别做感，测 量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小， 成为实际中最常采用的结构，其中线位移单组式的电容量C在忽 略边缘效应时为 2πe·1 In(2/) 上_外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度： 2一圆筒内半径和内圆柱外半径。 当两圆筒相对移动△时，电容变化量△C为 2πel 2π(1-△1) △C= ln(2/ In(r,/ In(r,/) 这类传感器具有良好的线性，大多用来检测位移等参数
2、变面积型电容传感器 变面积型电容传感器中，平板形结构对极距变化特别敏感，测 量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小， 成为实际中最常采用的结构，其中线位移单组式的电容量C在忽 略边缘效应时为 l—外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度； r 2、r 1 —圆筒内半径和内圆柱外半径。 当两圆筒相对移动Δl时，电容变化量ΔC为 ln( / ) 2 2 1 r r l C = l l C r r l r r l l r r l C = = − = − 0 2 1 2 1 2 1 ln( / ) 2 ln( / ) 2 ( ) ln( / ) 2 这类传感器具有良好的线性,大多用来检测位移等参数。 2、变面积型电容传感器 变面积型电容传感器中，平板形结构对极距变化特别敏感，测 量精度受到影响。而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小， 成为实际中最常采用的结构，其中线位移单组式的电容量C在忽 略边缘效应时为 l—外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度； r 2、r 1 —圆筒内半径和内圆柱外半径。 当两圆筒相对移动Δl时，电容变化量ΔC为