相对灵敏度/ 10 +20℃ 20℃ 20 入射波长/m 0 2.0 3.0 4.0 图8-4硫化铅光敏电阻的光谱温度特性
表8-1几种光敏电阻的特性参数 型号杜面积工作温度长波限 峰值探测率 响应时间暗电阻值电阻值 (100lx) mm /K /um /(cmHz2/W) /MQ MG41-21cds49.2233~3430.8 ≤2×10-2≥0.1 MG42-04cds↓7|248~3280.4 ≥5×10-2≥ ≤10 P397 PbS5×5298 2982×101°[130,10,1]1~4×10-42 P791 PbSe1×5298 1×10°[λ,100,1] 2×10-6 9903 PbSe1×3263 3×10°[λ,100,1] 10-5 3 OE-10PbSe0×1d298 2.5×109 1.5×10-6 OTC-3 MT InSb2×2253 6×105[λn,100,1] 4×10-6 Ge(Au) Ge 8.0 1×1010 5×10-8 Ge (hg) 38 4×1010 1×10 Ge(Cd) 4×1010 5×10 Ge (zi 4.2 40 5×1010 <10-6 Ge-Si(Au) 50 10.3 8×109 <10-6 e-si(zn) 13.8 <10-6
光敏二极管和光敏晶体管 1.结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。它装在透明玻璃 外壳中,其PN结装在管的顶部,可以直接受到光照射(见图8 5)。光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态(见图8-6 所示),在没有光照射时,反向电阻很大,反向电流很小,这反向 电流称为暗电流。当光照射在PN结上时,光子打在PN结附近, 使ⅨN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内 电场作用下作定向运动,形成光电流。光的照度越大,光电流越 大。因此光敏二极管在不受光照射时,处于截止状态,受光照 射时,处于导通状态
二、 １． 光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃 外壳中, 其PN结装在管的顶部, 可以直接受到光照射（见图8 - 5）。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见图8-6 所示）, 在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小, 这反向 电流称为暗电流。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内 电场作用下作定向运动, 形成光电流。光的照度越大, 光电流越 大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照 射时, 处于导通状态
光 P 本 图8-5光敏二极管结构简图和符号
光敏晶体管与一般晶体管很相似,具有两个PN结,只是它 的发射极一边做得很大,以扩大光的照射面积。图8-7为NPN 型光敏晶体管的结构简图和基本电路。大多数光敏晶体管的 基极无引出线,当集电极加上相对于发射极为正的电压而不 接基极时,集电结就是反向偏压;当光照射在集电结上时,就 会在结附近产生电子空穴对,从而形成光电流,相当于三极管 的基极电流。由于基极电流的增加,因此集电极电流是光生 电流的β倍,所以光敏晶体管有放大作用 光敏二极管和光敏晶体管的材料几乎都是硅(Si)。在 形态上,有单体型和集合型,集合型是在一块基片上有两个以 上光敏二极管,比如在后面讲到的CCD图像传感器中的光电 耦合器件,就是由光敏晶体管和其它发光元件组合而成的
光敏晶体管与一般晶体管很相似, 具有两个PN结, 只是它 的发射极一边做得很大, 以扩大光的照射面积。图8 - 7为NPN 型光敏晶体管的结构简图和基本电路。大多数光敏晶体管的 基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不 接基极时, 集电结就是反向偏压；当光照射在集电结上时, 就 会在结附近产生电子-空穴对, 从而形成光电流, 相当于三极管 的基极电流。由于基极电流的增加, 因此集电极电流是光生 电流的β倍, 所以光敏晶体管有放大作用。 光敏二极管和光敏晶体管的材料几乎都是硅（Si）。在 形态上, 有单体型和集合型, 集合型是在一块基片上有两个以 上光敏二极管, 比如在后面讲到的CCD图像传感器中的光电 耦合器件, 就是由光敏晶体管和其它发光元件组合而成的