总复习第1章半导体二极管及其应用电路1、半导体温度本征半导体N型+5自由电子杂质半导体P型空穴+3PN结：单向导电性多子扩散、少子漂移
1、半导体 第1章 半导体二极管及其应用电路 本征半导体 N型 杂质半导体 P型 PN结：单向导电性 +5 自由电子 +3 空穴 总复习 多子扩散、少子漂移 温度
2.二极管阳极单向导电性：正向导通，反向截止。PD导通压降N硅管0.6~0.8V锗管0.1~0.3V阴极稳压二极管反向击穿区
2.二极管 硅管 锗管 导通压降 0.6~0.8V 0.1~0.3V P N D 稳压二极管 单向导电性：正向导通， 反向截止。 反向击穿区
求二极管所在电路输出电压或画输出波形（1）选择参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位，如果输入信号是交流信号，则需分段讨论。（2）判断二极管通断，若有多个二极管且互相影响，则正向电压最高的优先导通。（3）二极管导通看做短路（或恒压），截止看做断路，多个二极管时，需第一个做等效后再逐个分析其他的。（4）分析等效后电路，求出输出电压或画出输出波形
求二极管所在电路输出电压或画输出波形： （1）选择参考点，断开二极管，分析二极管阳极 和阴极的电位，如果输入信号是交流信号，则需 分段讨论。 （2）判断二极管通断，若有多个二极管且互相影 响，则正向电压最高的优先导通。 （3）二极管导通看做短路（或恒压），截止看做 断路，多个二极管时，需第一个做等效后再逐个 分析其他的。 （4）分析等效后电路，求出输出电压或画出输出 波形
第2章双极型三极管及其放大电路PNP型NPN型1.晶体管CBROBOBEOEEOVc>VB>VEVC<VB<VEI UBE | ~0.2~0.3V(锗管)I UBE| ~0.6~0.7V (硅管)Ie ~(1+β) IIc ~ βIBIE = Ic +IB
E C B IE IC IB NPN 型 C B E IE IB IC 1.晶体管 PNP 型 I E = I C + I B C B I I E B I (1+ ) I VC VB VE ︱UBE ︳≈0.2~0. 3V (锗管） ︱UBE ︳≈0.6~0. 7V (硅管） V C VB VE 第2章 双极型三极管及其放大电路
（1）根据三极管的电流，判断三极和类型：(2）根据三极管各极电位，判断三极和类型中间电位一定出现在基极上，可确定B；1.uBE为0.2V（Ge管）或0.6V（si管），可确定E；余2下为C;3箭头标在发射极（E）上，由高电位指向低电位（P区指向N区）；如向外则为NPN型，如向内则为PNP型。（3）根据三极管各极电位，判断工作状态。截止UBE ≤0.5V ,PNP型相反NPN型si管UBE (=0.7)> UcE '饱和放大UBE (= 0.7)< UcE
（1）根据三极管的电流，判断三极和类型； ① 中间电位一定出现在基极上，可确定B ； ② uBE为0.2V（Ge管）或0.6V（si管），可确定E ；余 下为C； ③ 箭头标在发射极（E）上，由高电位指向低电位（P区 指向N区）；如向外则为NPN型，如向内则为PNP型。 （2）根据三极管各极电位，判断三极和类型； （3）根据三极管各极电位，判断工作状态。 截止 饱和 放大 UBE ≤0.5V ， UBE (≈0.7)> UCE ， UBE (≈ 0.7) < UCE ， NPN型si管 PNP型相反