磁电阻效应
磁电阻效应
口关于磁电阳阻，很早以前就已经知道材料（如铁）的电阻会受到磁场的影响。口1857年英国物理学家LordKelvin就已经证明：当磁场加到磁性导体上时，沿磁化的线上电阻会减小。如果外磁场与导体交又，电阻会增大口这个（各向异性的）磁电阻（MR）就是现在作为读出头的标准技术的巨磁电阻（GMR）的直接前身。当更加灵敏的技术需要时，GMR就接管了MR
关于磁电阻，很早以前就已经知道材料（如铁） 的电阻会受到磁场的影响。 1857年英国物理学家 Lord Kelvin 就已经证明： 当磁场加到磁性导体上时，沿磁化的线上电阻 会减小。如果外磁场与导体交叉，电阻会增大。 这个（各向异性的）磁电阻（MR）就是现在作 为读出头的标准技术的巨磁电阻（GMR）的直 接前身。当更加灵敏的技术需要时，GMR就接 管了MR
磁电阻与巨磁电阻的发现口传统的磁电阻（MR）效应：对一些导体、半导体，在外磁场下，其电阻会发生变化一磁场较低时，电阻线性增加，高磁场下则快速增长。特点是电阻正增加、各向异性。口因为采用MR技术，磁致电阻的变化也仅在1%到2%之间，月磁场不能太弱，所以磁道也无法做得太密。口到了1988年，新的“硬盘革命”的曙光终于开始显露
传统的磁电阻（MR）效应：对一些导体、半导 体，在外磁场下，其电阻会发生变化－磁场较 低时，电阻线性增加，高磁场下则快速增长。 特点是电阻正增加、各向异性。 因为采用MR技术，磁致电阻的变化也仅在1％ 到2％之间，且磁场不能太弱，所以磁道也无法 做得太密。 到了1988年，新的“硬盘革命”的曙光终于开 始显露。 磁电阻与巨磁电阻的发现
口发现多层膜巨磁电阻效应：随R磁场增加，电阳阻减小（负增长）。在弱磁场下，电阻就会发生巨大的变化。R↑磁场口费尔特（Fert）在超晶格（Fe/Cr）n中观察到磁电阻有50%的变化，并把这种效应命名为“巨磁电阻效应”。由于膜厚度不同，格伦博格（Grinberg）在Fe/Cr/Fe三层结构中所观察到磁电阻有10%的化
发现多层膜巨磁电阻效应：随 磁场增加，电阻减小（负增 长）。在弱磁场下，电阻就会 发生巨大的变化。 费尔特（Fert）在超晶格(Fe/Cr)n中观察到磁电 阻有50％的变化，并把这种效应命名为“巨磁电 阻效应”。由于膜厚度不同，格伦博格 (Grünberg)在Fe/Cr/Fe三层结构中所观察到磁电阻 有10％的变化。 磁场
口与GMR类似，可以利用绝缘材料而不是非磁性金属被夹在两层磁性金属之中。电流本来不可能通过绝缘层，但是如果它足够薄，电子利用量子力学的隧穿（Tunnelling）效应也可以偷偷穿过。因此这个新的体系被称为TMR，即Tunnelling Magneto-Resistance。口用TMR，在非常弱的磁场下其至可以得到更大的电阻差别，最新一代的读出头就采用这新技术
与 GMR 类似，可以利用绝缘材料而不是非磁 性金属被夹在两层磁性金属之中。电流本来不 可能通过绝缘层，但是如果它足够薄，电子利 用量子力学的隧穿(Tunnelling)效应也可以偷 偷穿过。因此这个新的体系被称为TMR，即 Tunnelling Magneto- Resistance。 用 TMR，在非常弱的磁场下甚至可以得到更 大的电阻差别，最新一代的读出头就采用这一 新技术