电流分配与控制 在发射结正偏,集电结反偏条件下,三极管中载 流子的运动: 1)发射区向基 N P 区注入电子: LEP 在VB作用下,e 发射区向基区 EN ●●C ●● 注入电子形成 CBO eNS 基区空穴 向发射区扩散 形成Ip BB CC EN 27 EP ,方向 相同 空穴·电子电流方向
电流分配与控制 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载 流子的运动： (1)发射区向基 区注入电子： 在VBB作用下， 发射区向基区 注入电子形成 IEN，基区空穴 向发射区扩散 形成IEP。 IEN >> IEP方向 相同 VBB VCC
电流分配与控制 (2)电子在基区复合和扩散 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散,扩 散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由 于基区薄且浓度低,所以ⅠB较小 (3)集电结收集电子 P 由于集电结反 EP 偏,所以基区中扩e EN 散到集电结边缘的 电子在电场作用下 CBO 漂移过集电结,到 CC 达集电区,形成电 BB 流 ICN o 空穴·电子←电流方向
电流分配与控制 (2) 电子在基区复合和扩散 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩 散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由 于基区薄且浓度低，所以IBN较小。 (3) 集电结收集电子 由于集电结反 偏，所以基区中扩 散到集电结边缘的 电子在电场作用下 漂移过集电结，到 达集电区，形成电 流ICN。 VBB VCC
电流分配与控制 (4)集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分: 发射区扩散到基区的电子—lcN 基区的少数载流子 CBO N EP e EN CBO B CC BB 电流分配与控制 空穴·电子电流方向
电流分配与控制 (4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBO VBB VCC 电 流 分 配 与 控 制 （ 动 画 - 2 1 ）
电流分配与控制 E eN EP 且有l EN-YI EP ENCN「1BN 且有l N→>1BNCN-BN IC-ICN+ IcBo N P N IEP E Ic 1=/ teN EP CBO EN CBO +I ECB BB B CC 空穴·电子电流方向
电流分配与控制 IE = IEN+ IEP 且有IEN>>IEP IEN =ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ，ICN>>IBN IC =ICN+ ICBO IB =IEP+ IBN－ICBO IE =IC+IB VBB VCC
3.1.3三极管各电极的电流关系 (三种组态 双极型三极管有三个电极,其中两个可以作为输 入,两个可以作为输出,这样必然有一个电极是公共 电极。三种接法也称三种组态,见下图 e C b lB b iB CE CB CC 共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示
3.1.3 三极管各电极的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输 入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共 电极。三种接法也称三种组态，见下图 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；