全国2006年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码:02234 、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压uo为( A.-6V B. OV C.+3V D.+9V 9V 题2图 3.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在( 放大状态 -10V B.饱和状态 C.截止状态 0.3V D.无法确定伏态 0V题3图 4.场效应管的转移特性如题4图所示,则该管为( A.P沟道增强型FET B.P沟道耗尽型FET C.N沟道增强型FET D.N沟遭耗尽型FEI 浙02234#电子技术基础(一)试题第1页共8页
浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 1 页 共 8 页 全国 2006 年 4 月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共 16 小题，每小题 2 分，共 32 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．要得到 P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ ） A．三价元素 B．四价元素 C．五价元素 D．六价元素 2．理想二极管构成的电路如题 2 图，其输出电压 u0 为（ ） A．-6V B．0V C．+3V D．+9V 3．某锗三极管测得其管脚电位如题 3 图所示，则可判定该管处在（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．无法确定伏态 4．场效应管的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ ） A．P 沟道增强型 FET B．P 沟道耗尽型 FET C．N 沟道增强型 FET D．N 沟遭耗尽型 FEI
5.三种组态的放大电路中,共基极放大电路的特点是() A.u与u反相能放大电流 B.u与u同相能放大电压 C.u与u同相能放大电流 D.u与u反相能放大功率 6.已知某基本共射放大电路的lcQ=1mA,UcEo=6V,管子的饱和压降Us=lV,R=Ru KΩ,则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为 7.在双端输入单端输出的差动放大电路中,差模电压放大倍数Aa=50,共模电压放大倍数 A=0.5,若输入电压u=80mV,u2=60mV,则输出电压u2为() A.-1.035V B.-0.965V C.+0.965V D.+1.035V 8题8图所示电路,集成运放的最大输出电压为±12V,下列说法正确的是() 12V B. u:=2V ui=4V D. u=sV, uo= 题8图 9.单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反 电压为( B.21.2V C.30V D.42.42V 10.十进制数(67)0所对应的十六进制数为( B.(61)6 C.(86)16 D.(C2)6 11.函数F(A,B,C)=AB+C的最小项表达式为( A.F=∑(0,2,4,6,7) Ab+A C.F=(1,3,5) D.F=(0,1,2,3,7) 12.函数F=AB+ABC+AC+ADE的最简与或式为 ) 浙02234#电子技术基础(一)试题第2页共8页
浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 2 页 共 8 页 5．三种组态的放大电路中，共基极放大电路的特点是（ ） A．u0 与 ui 反相能放大电流 B．u0 与 ui 同相能放大电压 C．u0 与 ui 同相能放大电流 D．u0 与 ui 反相能放大功率 6．已知某基本共射放大电路的 ICQ=1mA，UCEQ=6V，管子的饱和压降 Uces=1V，Rc=RL= 4KΩ，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（ ） A．1V B．2V C．5V D．6V 7．在双端输入单端输出的差动放大电路中，差模电压放大倍数 Ad2=50，共模电压放大倍数 Ac=0.5，若输入电压 uil=80mV，ui2=60mV，则输出电压 uo2 为（ ） A．-1.035V B．-0.965V C．+0.965V D．+1.035V 8.题 8 图所示电路，集成运放的最大输出电压为±12V，下列说法正确的是（ ） A．ui=1V，u0=-12V B．ui=2V，u0=-12V C．ui=4V，u0=-12V D．ui=5V，u0=+12V 9．单相桥式整流电路变压器次级电压为 15V(有效值)，则每个整流二极管所承受的最大反 向电压为（ ） A．15V B．21.21V C．30V D．42.42V 10.十进制数(67)10 所对应的十六进制数为（ ） A．(43)16 B．(61)16 C．(86)16 D．(C2)16 11．函数 F(A，B，C)=AB+ C 的最小项表达式为（ ） A．F=∑(0，2，4，6，7) B．F= A B+AC C．F=∑(1，3，5) D．F=∑(0，1，2，3，7) l2．函数 F=AB+A B C+A C + A DE 的最简与或式为（ ）
A. F=A B. F=BC+AC C. F=A+DE D. F=A+A DE 13.题13图所示电路中,次态方程Q+为() A.(A+B)Q"+AQT B B.(A+B)Q"+ AQd A C. A+B+Q" +AOn 1K D. AOn 题13图 14.由与非门构成的基本RS触发器,要使Q+l=1输入信号应为() A. Sp=RD=O B. Sp=RD=I 15.有一个稳态和一个暂稳态的电路是( 多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.双稳态触发器 16.如题16图所示电路,输出函数F的表达式为() & B. F=AB BN D. F=AB 题16图 、填空题(本大题共14小题,每小题1分,共14分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 17.场效应晶体管与双极型晶体管比较,场效应晶体管属于控制器件。 18.场效应晶体管与双极型晶体管比较,输入电阻大的是晶体管。 19基本共射放大电路,若使其偏置电阻RB增大(电路其他参数不变),则Ieo将」 20.要放大频率f0.Hz的正弦信号,应选用 耦合的放大电路 21.在共射放大电路中,若负载电阻R1愈大,则其电压放大倍数的值 22.差动放大电路两个输入端的信号分别为u1和u2,当u1=u2时,则为输入信号 浙02234#电子技术基础(一)试题第3页共8页
浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 3 页 共 8 页 A．F=A B．F=BC+A C C．F=A+DE D．F=A+ A DE 13．题 13 图所示电路中，次态方程 Qn+1 为（ ） A．(A+B) n Q +AQn B．(A+B) n Q + A Qn C． A + B + n Q +AQn D．AQn 14．由与非门构成的基本 RS 触发器，要使 Qn+1=1 输入信号应为（ ） A．SD=RD=0 B．SD=RD=1 C．SD=1，RD=0 D．SD=0，RD=1 15．有一个稳态和一个暂稳态的电路是（ ） A．多谐振荡器 B．单稳态触发器 C．施密特触发器 D．双稳态触发器 16．如题 16 图所示电路，输出函数 F 的表达式为（ ） A．F= A B B．F=AB C．F= B D．F= AB 二、填空题（本大题共 14 小题，每小题 1 分，共 14 分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 17．场效应晶体管与双极型晶体管比较，场效应晶体管属于________控制器件。 18．场效应晶体管与双极型晶体管比较，输入电阻大的是________晶体管。 19．基本共射放大电路，若使其偏置电阻 RB增大(电路其他参数不变)，则 ICQ 将________。 20．要放大频率 f=0.5Hz 的正弦信号，应选用________耦合的放大电路。 2l．在共射放大电路中，若负载电阻 RL 愈大，则其电压放大倍数的值______。 22．差动放大电路两个输入端的信号分别为 ui1 和 ui2，当 ui1=ui2 时，则为______输入信号
23.要使放大电路的输入电阻小输出电阻增大,在放大电路中应引入负反馈。 24.正弦波振荡器起振的幅值条件是 25.单相桥式整流电路输出平均电压为20V,负载RL=409,则变压器副边电压有效值为 26.构成七进制计数器最少要用 个触发器。 27.T触发器的特征方程为 28.逻辑函数F=A⊙B的与或表达式为。 29.二进制数(1101.101)2转换为八进制数为 30.由555构成的施密特触发器,若电源电压U=9V,电压控制端5脚经0.01μF电容接 地,则上限触发电压Ur 三、分析计算题(本大題共6小题,每小题5分,共30分) 31.放大电路如题31图,已知管子的n=1K9,B=100,0mo=06V,C,C2,C对 交流短路 (1)计算静态量lc、UcQ (2)计算电压放大倍数Aa及输入电阻r 3)若CE断开,写出电压放大倍数Au的表达式 K R U 40K6 R e 6K 题31图 32.功放电路如题32图 (1)指出V1、V2管的作用: (2)在图上补全V4管的符号 (3)计算最大输出功率PoM,设V3和V4管的饱和电压均为2V 浙02234#电子技术基础(一)试题第4页共8页
浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 4 页 共 8 页 23．要使放大电路的输入电阻小输出电阻增大，在放大电路中应引入______负反馈。 24．正弦波振荡器起振的幅值条件是________。 25．单相桥式整流电路输出平均电压为 20V，负载 RL=40Ω，则变压器副边电压有效值为 ______V。 26．构成七进制计数器最少要用_______个触发器。 27．T 触发器的特征方程为______。 28．逻辑函数 F=A⊙B 的与或表达式为________。 29．二进制数(1101.1011)2 转换为八进制数为______。 30．由 555 构成的施密特触发器，若电源电压 Ucc=9V，电压控制端 5 脚经 0.01μF 电容接 地，则上限触发电压 UT+=________V。 三、分析计算题(本大题共 6 小题，每小题 5 分，共 30 分) 31．放大电路如题 31 图，已知管子的 rbe=1.5KΩ，β=100， UBEQ =0.6V，C1，C2，CE 对 交流短路。 (1)计算静态量 ICQ、UCEQ； (2)计算电压放大倍数 Au 及输入电阻 ri； (3)若 CE 断开，写出电压放大倍数 Au 的表达式。 32．功放电路如题 32 图。 （1）指出 V1、V2 管的作用； （2）在图上补全 V4 管的符号； （3）计算最大输出功率 POM，设 V3 和 V4 管的饱和电压均为 2V
R V 题32图 33.电路如题33图 (1)指出A1,A2各构成何种运算电路 (2)已知u1=u2=2V,电容C上的初始电压为零,求山01,写出u的表达式 (3)指出哪些运放存在虚地 60K 30K A ↓。U 34.电路如题34图所示试分析电路的逻辑功能。要求:写出逻辑表达式并化简:指出逻辑 功 题34图 浙02234#电子技术基础(一)试题第5页共8页
浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 5 页 共 8 页 33．电路如题 33 图 （1）指出 A1，A2 各构成何种运算电路； （2）已知 ui1=ui2=2V，电容 C 上的初始电压为零，求 u01，写出 u0 的表达式； （3）指出哪些运放存在虚地。 34．电路如题 34 图所示试分析电路的逻辑功能。要求：写出逻辑表达式并化简；指出逻辑 功能