图2-4 EPROM的基本存储电路 浮空多 Al SiO2晶硅栅 字线 N基体 EPROM 位线 (b 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
图2-4 EPROM的基本存储电路
3.新一代电可擦除的可编程的只读存储器 FLASH存储器 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
3．新一代电可擦除的可编程的只读存储器FLASH存储器
图2-5闪存的典型结构 位线 位线 位线 字线 字线氧化物氮氧化物 字线隧道氧化物 控制栅极CG 字线 源线 浮空栅极FG 位线 字线 D P衬底 源线 源线 源线 (a) FLASH存储阵列图 (b) FLASH存储体构造图及逻辑符号 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
图2-5 闪存的典型结构
图2-6 FLASH擦除与编程说明示意图 0V栅极 CG 12V UD=7V UG=OV U;=12V FG⌒⑨浮空栅 FG⑥ 二 S源极 漏极 US=12V S FG OV 7 P衬底 P衬底 (a)擦除:从浮空栅移走电荷 (b)编程:为浮空栅增加电荷 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
图2-6 FLASH 擦除与编程说明示意图
2280c51中的存储器组织的特点 8051系列存储器组织的特点是程序存 储器与数据存储器在逻辑上分离。 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
2.2 80C51中的存储器组织的特点 • 8051系列存储器组织的特点是程序存 储器与数据存储器在逻辑上分离