为了节省面积,电容不可能做得很大,一般 比数据线上的今布电容CD小,因此每次 读出后,存储内容就被破坏,要保存原先 的信息必须采取恢复措施(重新写入) 而且,存储信息的电容上的电荷会泄漏, 故需要定时再生。统称为刷新。 这是DRAM与SRAM的最大不同 51单片机采用SRAM作数据存储器。 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
为了节省面积,电容不可能做得很大,一般 比数据线上的今布电容CD小,因此,每次 读出后,存储内容就被破坏,要保存原先 的信息必须采取恢复措施(重新写入)。 而且,存储信息的电容上的电荷会泄漏, 故需要定时再生。统称为刷新。 这是DRAM与SRAM的最大不同。 51单片机采用SRAM作数据存储器
2.1.2只读存储器(ROM) 1.掩膜只读存储器 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
2.1.2 只读存储器（ROM） 1．掩膜只读存储器
图2-3掩膜ROM举例 字线1 字线2 字地址译码器 字线3 字线4 位 位 位 线 线 D4 D3 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
图2-3 掩膜ROM举例
表2-1 RoM的内容 位 字 位1 位2 3 位4 字1 (0) 字2 0 (1) (0) (1) 0 字3 0 (0) (1) (0) 字 0 (1) (1) (1) (1) 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
位 字 位1 位2 位3 位4 字1 0 （1） 1 （0） 1 （0） 0 （1） 字2 0 （1） 1 （0） 0 （1） 1 （0） 字3 1 （0） 0 （1） 1 （0） 0 （1） 字4 0 （1） 0 （1） 0 （1） 0 （1） 表2-1 ROM的内容
2.可擦除的可编程序的只读存储器(EPRM 人民邮电出版社 POSIS TELECOM PRESS 名家系列
2．可擦除的可编程序的只读存储器（EPROM）