表3-1 续表 D +2V 耗尽型 NMOS 4 V GS DS 增强型 5v P MOS B V 耗尽型 B PMOS eG +2V DSS p=+4V MDS
u GS O iD UP I DSS iD O UT u GS u GS O I DSS iD UP u DS O uGS＝0 V iD －2 V uGS＝UP ＝－4 V ＋2 V － iD －5 V uGS＝UT ＝－3 V O －u DS －4 V uGS＝－ 6V －iD －2 V uGS＝UP ＝＋4 V O －uDS ＋2 V uGS＝0 V G S D +－ iD B +－ G S D +－ iD －+ B G S D + i － D B －+ 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 表 3 - 1 续表
3.3场效应管的主要参数 331直流参数 1.饱和漏极电流lss 1s是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数, 它的定义是当栅源之间的电压Uc等于零,而漏 源之间的电压U大于夹断电压U时对应的漏极 电流
3.3 场效应管的主要参数 3.3.1 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数, 它的定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、 源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极 电流