3.特性曲线 k/mA(Ds=s-4轨迹 /mA 可变电阻1 恒流区 击穿区 Ues=Ur截止区 (a)转移特性 (b)输出特性 图3-9N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
3. 特性曲线 i D / mA 10 A 0 UT uGS / V UGS ＝UT 0 截止区 i D / mA 可变电阻 区 恒流区 击穿区 UDS ＝UGS － UT 轨迹 uDS / V (a) 转移特性 (b) 输出特性 图3 – 9 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线
322N沟道耗尽型MOS场效应管 掺杂在绝缘层 中的正离子 G ++++++++++ 手N N型沟道 P型衬底 衬底引线 图3-10N沟道耗尽型MOS管的结构示意图
3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 N＋ N＋ P型衬底 S G D 掺杂在绝缘层 中的正离子 ＋＋ ＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋＋ ＋ ＋ N型沟道 衬底引线 图 3-10 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图
/mA +1V U=0 V 2V l 0152041s a)转移特性 (b)输出特性 图3-11N沟道耗尽型MOs场效应管的特性曲线
U O P uGS I DSS (a) 转移特性 I DSS 0 1 2 3 4 5 10 15 － 3 V uDS / V (b) 输出特性 － 2 V － 1 V ＋ 1 V UGS＝ 0 V i D i D / mA 20 图 3-11 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线
D 衬底° 衬底 (a)N沟道增强型 (b)N沟道耗尽型(c)N沟道MOS管简化符号 D D G 衬底 衬底 (d)P勾道增强型 (e)P沟道耗尽型(f)P沟道MOS管简化符号 图3-12MOS场效应管电路符号
G D S 衬 底 (a) N沟道增强型 G D S 衬 底 (b) N沟道耗尽型 G D S (c) N沟 道MOS管简化符号 G D S 衬 底 (d) P沟道增强型 G D S 衬 底 (e) P沟道耗尽型 G D S ( f ) P沟 道MOS管简化符号 图 3-12 MOS场效应管电路符号
表3-1各种场效应管的符号和特性曲线 类型 符号和极性 转移特性 输出特性 D 0V JFET 沟道 -2V D =0Ⅴ JFET 沟道 G +2V +4V DS 5V 增强型 B NMOS =+2V GS DS
表3-1 各种场效应管的符号和特性曲线 类型 符号和极性 转移特性 输出特性 u GS O I DSS i D U P u GS O I DSS i D U P －i －u DS O u GS ＝0 V ＋1 V D ＋2 V ＋3 V u GS ＝U P ＝＋4 V u DS O u GS ＝0 V －1 V i D －2 V －3 V u GS ＝U P ＝－4 V u DS O u GS ＝5 V i D 3 V u GS ＝U T ＝＋2 V 4 V uGS i D O U T G S D + － i D － + G S D + － i D － + G S D + － i D － + B JFET P沟道 JFET N沟道 增强型 N MOS