饱和区一i受yC显著控制的区域，该区域内vC的数值较 小，一般vcE<0.7V(硅管)。 此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区 i接近零的区域，相当O的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 Ic/m 饱和区 5 IB2=80u4 放大区 ic平行于v'ce轴的区域， 放大区I1=40uA 曲线基本平行等距。 2 此时，发射结正偏，集 1g=0 截止区 电结反偏，电压大于 VCE IV 0.7V左右（硅管） 468
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。 此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区——iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集 电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。 / C I mA 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / V V CE 0 B I = 1 40 B I uA = 2 80 B I uA = 饱和区 放大区 截止区
NPN型三极管截止、放大、饱和3种工作状态的特点 工作状态 截止 放大 饱和 条件 g=0 0<iB≤IBs iB>IBs 发射结反偏 发射结正偏 发射结正偏 偏置情况 集电结反偏 集电结反偏 集电结正偏 工作 UBE<O,uBc<O UBE0,UBc<O UBE0,UBC>0 集电极电流 ic=0 ic-BiB ic=lcs 特 UCE=VCC- ce间电压 uCE=UCES= ucE=Vcc icR。 0.3V 很大， 很小， ce间等效电阻 可变 相当开关断开 相当开关闭合
NPN 型三极管截止、放大、饱和3 种工作状态的特点 工作状态 截 止 放 大 饱 和 条 件 i B ＝0 0＜i B ＜I BS i B ＞I BS 偏置情况 发射结反偏 集电结反偏 uB E< 0，uB C< 0 发射结正偏 集电结反偏 uB E> 0，uB C< 0 发射结正偏 集电结正偏 uB E> 0，uB C> 0 集电极电流 i C ＝0 i C ＝βi B i C ＝I CS ce间电压 u CE＝VCC u CE＝VCC－ i C Rc u CE＝UCES＝ 0.3V 工 作 特 点 ce间等效电阻 很大， 相当开关断开 可变 很小， 相当开关闭合