4.片选及输入输出控制电路 当选片信号C=1时,G5、G4输出为0,三态门G1、G2、G均处于高阻状 态,输入输出(O)端与存储器内部完全隔离,存储器禁止读/写操作, 即不工作; D /O R/W CS 当CS=0时,芯片被选通:当B垫=1时,G输出高电平,G3被打开,于 是被选中的单元所存储的数据出现在ⅣO端,存储器执行读操作; 当3坠=0时,G输出高电平,G1、G2被打开,此时加在O端的数据以 互补的形式出现在内部数据线上,存储器执行写操作
4. 片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状 态，输入/输出（I/O）端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作， 即不工作； & & G G G C S R/W 3 4 5 1 G D D I/O G2 当CS＝0时，芯片被选通：当 ＝1时，G5输出高电平，G3被打开，于 是被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作； 当 ＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以 互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作
RAM的工作时序(以写入过程为例) WC ADD 止 写入单元的地址 S R/W WP WR vO 写入数据 DW 读出操作过程如下: (1)欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端; (2)加入有效的选片信号CS; (3)将待写入的数据加到数据输入端 (3)在“丝上加低电平,进入写工作状态 (4)让选片信号CS无效,ⅣO端呈高阻态
二. RAM的工作时序（以写入过程为例） 读出操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在 线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。 t W C ADD 写入单元的地址 t W P CS R/W I/O 写入数据 AS t W R t DW t DH t
三。RAM的容量扩展 1.位扩展 用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 o 1Oo VO vO 1/O V/O V/O 1024×1RAM 1024×1RAM 1024×1RAM A0A…·A9 R/WCSA0A…· A9 R/WCS A0A1…A9R/WCS Ao A A R/W oo
三． RAM的容量扩展 1．位扩展 用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 1024×1RAM A0 A1 A R/WC S ... I/O I/O ... 1024×1RAM A0 A1 A R/WC S ... I/O I/O 1024×1RAM A0 A1 A9 R/WC S ... I/O I/O ... A A 0 1 R/W C S 0 1 7 9 9 9 A
2.字扩展 用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM /O7 DI/O 1O0 1/O1 I/O0IO1…·I 1/O0 1/O1 1024×8RAM 1024×8RAM 1024×8RAM A0A…·A9R/WCS|A0A!…A9RWCS A0A1……A9R/WCS W A A11 A12 O C +5V 74LS138
2．字扩展 用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。 0 1 . G 2A 12 74LS138 A Y +5V . G C Y7 . G2B A A Y . A11 1 10 . B . A ... A I/O 1024×8RAM 1 0 0 0 R/W 7 R/W 1 R/W ... 9 A 1024×8RAM 9 0 ... A 0 I/O A R/W 1024×8RAM C S 9 A C S A I/O A1 A 9 ... A 1 C S 1 A A I/O0 I/O0 I/O1 I/O7 I/O1 I/O7 I/O0 I/O1 I/O7 ... ... ... ...