◆光电流:Lp=SgEU=gpU(1-10) E一光照度;9p-光电导;S-光电导灵敏 度 考虑暗电流I则流过光电导器件电流: I=Ip+ld=gpU+gdU(1-2) 900 600 2004006008001000 E/lx 图1-3光电流-照度特性曲线
光电流: Ip=SgEU=gpU (1-10) E —光照度;gp—光电导;Sg—光电导灵敏 度 考虑暗电流Id,则流过光电导器件电流: I=Ip+Id=gpU+gdU (1-2)
2.PN结光伏效应 ◆PN结受到光照射光子能量大于禁带宽 度时,产生电子空穴对在内电场作用下 按一定方向运动从而形成与内电场相反 的开路光生电压Uoc称光生伏特效应 l1·电子 °空穴 R bD 图1-4光照PN结原理及其等效电路 a)工作原理b)等效电路
2.P-N结光伏效应 P-N结受到光照射,光子能量大于禁带宽 度时,产生电子-空穴对,在内电场作用下 按一定方向运动,从而形成与内电场相反 的开路光生电压UOC,称光生伏特效应
相关公式 正向电流:LD=I(eq(K-1)(1-3) 负载电流L=Lp=sE[E:I(equm-1) (1-4) RL断开时,开路电压 UOCN KT/gIn(sEE/Io(1-5) RL=0时短路电流: ISC=IP=SEE (1-6)
相关公式: 正向电流:ID=I0(eqU/(KT)-1) (1-3) 负载电流:IL=IP-ID=SE[E- I0(eqU/(KT)-1)] (1-4) RL断开时,开路电压: UOC≈(KT/q)ln(SEE/I0) (1-5) RL=0时,短路电流: ISC=IP=SEE (1-6)
应用:光敏二极管、三级管和硅光电池。 IIHA lc/mA JIHAI Uro, CC2/ CC3 Un 反向偏压形o E=0 U/V U E 增 大 反向电流 一E1 6<E2“E CA R=O RLI 图1-5三种光电管的伏安特性 a)负载PN结伏安特性b)光敏三极管伏安特性c)硅光电池
应用:光敏二极管、三级管和硅光电池