第二节自扫描光电二极管阵列 (SSPD) 自扫描分线阵和面阵 电荷存储原理 预充电放电(积分)-充电(信号输出) 放电(积分)-充电(信号输出) AI膜v栅极漏极 Sio2 -Si 光电二极管 图2-6SSPD像 元结构图
第二节 自扫描光电二极管阵列 (SSPD) 自扫描,分线阵和 面阵 一、电荷存储原理 预充电—放电（积分）--充电（信号输出） --放电（积分）--充电（信号输出）--
PUg=L VT RLIE R D VD D C 图27电荷存储工作原理 a)预充电b)放电(积分)c)充电(信号输出) (1)预充电:Q=CdUc(2-4) 2)曝光(放电):AQ(Lp+D)T ≈lpTs(2-5) 放电结束:Ucd=Uc-△QCd(2-6) (3)再充电(信号输出): ULmax=Uc-Ucd=AQ/Cd (2-7)
（1）预充电：Q=CdUc （2-4） （2）曝光（放电）：ΔQ=（Ip+ID）Ts ≈IpTs（2-5） 放电结束：Ucd=Uc-ΔQ/Cd（2-6） （3）再充电（信号输出）： ULmax=Uc-Ucd= ΔQ/Cd（2-7）
fon-2 D 图28信号波形 ULmax=IpTs/Cd=SpETS/Cd(2-8) ◆L=UlmR=LpIs/;τ=RCd(2-9) ◆最大曝光量Hmax=(ETs)max -CdUc/Sp (2-10)
ULmax=IpTs/Cd=SpETs/Cd （2-8） IL= Ulmax/RL=IpTs/τ ； τ =RLCd （2-9） 最大曝光量Hmax=（ETs）max =CdUc/Sp （2-10） τ
Q二、SPD器件 1线阵SSPD (1)感光部分:(2)多路开关3)移位寄存器 数字移位寄存器 EOS UBN Ⅴ"T VT N R VD、ⅣD C U COM 图29线阵SSPD器件电气原理图
二、SSPD器件 1.线阵SSPD (1) 感光部分;(2)多路开关;(3)移位寄存器
◆波形图: 气几几几几几 S BN BN BN BN AnmA 图2-10ssPD器件工作波形
波形图: