化磁电阻传感器的测量空间科学与应用物理系
锑化铟磁电阻传感器的测量 空间科学与应用物理系
s电ca上铁自暖电O215[仪器介绍-22外楼电阻?一FD-MR-II磁阻效应实验仪BV正K上能互天品有显公司00FD-MR- II磁阻效应实验仪mVmAmT密符计调零开电源调节ISb电浪调节电铁血池电流话效宰电压OOC关上海复理大康科政仪设有限公司0s
[仪器介绍 ]
【实验原理]导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将在洛仑兹力的作用下而发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出横向磁阻效十++应。通常以电阻率的相对改变量来表示1磁阻的大小，即用△p/p（0）表示。其中△p=p（B）-p（0）。由于△R/R（0）正比于△p/p（0），因此也可以用^R/R（0）来表示磁阻效应的大小
[实验原理] 导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应 。如图所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将 在洛仑兹力的作用下而发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍 尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚 好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而 沿外加电场方向运动的载流子数量将 减少，电阻增大，表现出横向磁阻效 应。 通常以电阻率的相对改变量来表示 磁阻的大小，即用Δρ/ρ（0）表示。 其中Δρ=ρ（B）-ρ（0）。由于ΔR/R（0）正比于Δρ/ρ（0），因 此也可以用ΔR/R（0）来表示磁阻效应的大小
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率^R/R（0）正比于磁感应强度B的平方，而在强磁场中AR/R（O）与磁感应强度B呈线性关系。若外界交流磁场的磁感应强度B为(1)B-B.COSot（1）式中，B为磁感应强度的振幅，の为角频率，t为时间。(2)设在弱磁场中AR/R(O)-KB2（2）式中，K为常量
实验证明，当金属或半导体处于较弱磁场中时，一 般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R（0）正比于磁感 应强度B的平方，而在强磁场中ΔR/R（0）与磁感应强 度B呈线性关系。 若外界交流磁场的磁感应强度B为 B=B0COSωt （1） （1）式中，B0为磁感应强度的振幅，ω为角频率，t为 时间。 设在弱磁场中 ΔR/R(0)=KB2 （2） （2）式中，K为常量