第5章频率响应 5-1—2实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图5-3所示。在低频 和高频区放大倍数有所下降,而中间一段比较平坦 为分析方便起见,人们将实际的振幅频率响应划分为 三个区域,即中频区、低频区和高频区。并定义上限 频率、下限频率f以及通频带BW,以便定量表征频 率响应的实际状况
第5章 频率响应 5―1―2实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图5―3所示。在低频 和高频区放大倍数有所下降，而中间一段比较平坦。 为分析方便起见，人们将实际的振幅频率响应划分为 三个区域，即中频区、低频区和高频区。并定义上限 频率fH、下限频率fL以及通频带BW，以便定量表征频 率响应的实际状况
第5章频率响应 (p) 理想幅频特性 0.70744 L半功率点 半功率点H 实际幅频特性 低频区 中频区 高频区 0 无BW-3d一 图5-3实际的放大器幅频响应
第5章 频率响应 图5―3实际的放大器幅频响应
第5章频率响应 A(|=14=07074 (5-3) 4()=4n|=0707 (5-4) BH=fn-f1≈fn (5-5) Gn=20gA(n)|=20gA|-3B (5-6) G2=20gA()|=20gA|-3B G·BW=4BW|≈=An·fn (5-7 ac
第5章 频率响应 u I u I H L u L u I H u H u I H L H u L u I u I u H u I u I G BW A BW A f G A j f A dB G A j f A dB BW f f f A j f A A A j f A A = = = − = = − = − = = = = 20lg ( ) 20lg 3 20lg ( ) 20lg 3 0.707 2 1 ( ) 0.707 2 1 ( ) (5―3) (5―4) (5―5) (5―6) (5―7)
第5章频率响应 5-2单级共射放大器的高频响应 5-2—1晶体管的频率参数和高频等效电路 、晶体管的高频等效电路 在第二章中,我们曾经提到过晶体管的势垒电容 和扩散电容。因为发射结正向偏置,基区存贮了许多 非平衡载流子,所以扩散电容成分较大,记为Cbe;而 集电结为反向偏置,势垒电容起主要作用,记为 Cb。在高频区,这些电容呈现的阻抗减小,其对电流 的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频 混合π小信号等效电路如图5-4所示
第5章 频率响应 5―2单级共射放大器的高频响应 5―2―1晶体管的频率参数和高频等效电路 一、晶体管的高频等效电路 在第二章中，我们曾经提到过晶体管的势垒电容 和扩散电容。因为发射结正向偏置，基区存贮了许多 非平衡载流子，所以扩散电容成分较大，记为Cb′e；而 集电结为反向偏置，势垒电容起主要作用，记为 Cb′c。在高频区，这些电容呈现的阻抗减小，其对电流 的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频 混合π小信号等效电路如图5―4所示
第5章频率响应 UN 图5-4晶体管的高频小信号混合π等效电路
第5章 频率响应 图5―4 晶体管的高频小信号混合π等效电路