集成电路主要流程 硅片 由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层 用掩膜版 曝光 重复 20-30次 刻蚀 测试和封装
集成电路主要流程 由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30次
PI-Si,N. Phosphide-silicate glass Second metal (TiN/Al/Ti) PI-SiO Spin-on Spin-on Spin-on glass glass glass PLSiO Boron-phosphide-silicate glass Cell plate Ferroelectric capacitor First metal (TiN/Al/TiN/Ti Storage node Polycide bit Polysilicon 月 Word
集成电路主要流程
集成电路基础：基材的制备 首先必须取得高纯度硅。 通过化学方法获得单质硅，这种硅是多晶的形式。 SiC+SiO2->Si+Si0(气)+C0(气) Si+HCI->SiHCI3(液，易提纯) SiHCI3 +H2->Si +3HCI
集成电路基础：基材的制备 首先必须取得高纯度硅。 通过化学方法获得单质硅，这种硅是多晶的形式。 SiC + SiO2 -> Si + SiO（气） + CO（气） Si + HCl -> SiHCl3 （液，易提纯） SiHCl3 + H2 -> Si + 3HCl
制备单晶硅 为了使多晶硅变成高质量的单晶硅，把它放入石英坩 埚中，接后置于石墨感受器内以射频感应加热使之熔 融。把一块取向符合要求称作籽晶的单晶硅浸入熔融 硅中，让籽晶的一小部分返熔以消除表面可能存在的 缺陷，继而旋转籽晶并同时十分缓慢地从熔融液中拉 起，使籽晶保侍低于熔点的温度，当熔融硅与籽晶接 触时就发生固化。这样就拉出柱状单晶硅棒，典型直 径为2至3寸，长10寸左右。可以把杂质原子加入到熔 融的硅中，以得到P型或N型单晶
制备单晶硅 为了使多晶硅变成高质量的单晶硅，把它放入石英坩 埚中，接后置于石墨感受器内以射频感应加热使之熔 融。把一块取向符合要求称作籽晶的单晶硅浸入熔融 硅中，让籽晶的一小部分返熔以消除表面可能存在的 缺陷，继而旋转籽晶并同时十分缓慢地从熔融液中拉 起，使籽晶保侍低于熔点的温度，当熔融硅与籽晶接 触时就发生固化。这样就拉出柱状单晶硅棒，典型直 径为2至3寸，长10寸左右。 可以把杂质原子加入到熔 融的硅中，以得到P型或N型单晶
单晶拉伸与 转动机械 。a0,@0 籽晶 汗油限只 单品硅 熔融多晶硅 石英 热屏蔽 坩锅 碳加热部件 水套 图2.4CZ拉单晶炉
制备单晶硅