第六章内存储器接口(6学时) ②知识概述 第一节内存储器件(2学时) 第二节地址译码(2学时) 第三节内存储器扩展技术(2学时) 第四节16位、32位及64位机存储器系统 诗算样接 退出
第六章 内存储器接口（6学时） 第四节 16位、32位及64位机存 储器系统 退 出 第一节 内存储器件(2学时) ☺ 知 识 概 述 ☺ 第二节 地址译码 (2学时) 第三节 内存储器扩展技术 (2学时)
第一节内存储器件 61.1内存储器概述 1.存储器有两种基本操作一读和写。 2.所有的存储芯片都设有地址引脚、数据引脚、读、写 控制脚及片选脚。 诗接以 退出
第一节 内存储器件 6.1.1 内存储器概述 退 出 1.存储器有两种基本操作—读和写。 2. 所有的存储芯片都设有地址引脚、数据引脚、读、写 控制脚及片选脚
61.2内存储器的分类 ROM 双极RAM MOS型RAM SRAM DRAM 内存储器 RAM 掩模式RM 可编程的ROM 可擦除PRoM EPROM EEROM 诗接以 退出
6.1.2 内存储器的分类 退 出 内存储器 ROM 双极RAM MOS型RAM 掩模式ROM 可编程的ROM 可擦除PROM RAM SRAM DRAM EPROM EEROM
、随机存取存储器RAM 1.双极型RAM 双极型RAM的主要特点 存取时间短,通常为几纳秒到几十纳秒; 其集成度低、功耗大,而且价格也较高 2.MOS型RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为SRAM和DRAM 诗接以 退出
6.1.2 一、随机存取存储器RAM 1. 双极型RAM 双极型RAM的主要特点： 存取时间短，通常为几纳秒到几十纳秒； 其集成度低、功耗大，而且价格也较高。 2. MOS型RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为SRAM和DRAM。 退 出
只读存储器RoM 1.掩模式只读存储器 这种芯片存储的信息稳定,成本最低。适用于存放 些可批量生产的固定不变的程序或数据。 2.可编程ROM 用户可以读出其内容,但再也无法改变它的内容 3.可擦除的PROM 可擦除的PROM芯片因其擦除的方式不同可分为两类 1)一是通过是紫外线照射来擦除,这种用紫外线擦除 的PROM称为 EPROM (2)另外一种是通过电的方法来擦除,这种PROM称为 EEPROM芯片内容擦除后仍可以重新对它进行编程,写 入新的内容。擦除和重新编程都可以多次进行。 诗接以 退出 6.1.2
6.1.2 二、只读存储器ROM 1. 掩模式只读存储器 这种芯片存储的信息稳定，成本最低。适用于存放一 些可批量生产的固定不变的程序或数据。 2. 可编程ROM 用户可以读出其内容，但再也无法改变它的内容。 3. 可擦除的PROM 可擦除的PROM芯片因其擦除的方式不同可分为两类。 （1）一是通过是紫外线照射来擦除，这种用紫外线擦除 的PROM称为EPROM （2）另外一种是通过电的方法来擦除，这种PROM称为 EEPROM芯片内容擦除后仍可以重新对它进行编程，写 入新的内容。擦除和重新编程都可以多次进行。 退 出