日PN结的单向导电性 (1)PN结加正向电压 外加的正向电压,方 向与PN结内电场方向相反, 削弱了内电场。于是,内 电场对多子扩散运动的阻 碍减弱,扩散电流加大 扩散电流远大于漂移电流, 可忽略漂移电流的影响, PN结呈现低阻性。P区的 电位高于N区的电位,称 E 为加正向电压,简称正偏。 R 动画
PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压 外加的正向电压，方 向与PN结内电场方向相反， 削弱了内电场。于是,内 电场对多子扩散运动的阻 碍减弱，扩散电流加大。 扩散电流远大于漂移电流， 可忽略漂移电流的影响， PN结呈现低阻性。P区的 电位高于N区的电位，称 为加正向电压，简称正偏。 动画
(2)PN结加反向电压 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同,加强 了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强,扩散 电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下 形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN 结呈现高阻性。P区的电位低于N区的电位,称为加反 向电压,简称反偏。 在一定的温度条件下,由本 征激发决定的少子浓度是一定 的,故少子形成的漂移电流是 恒定的,基本上与所加反向电 压的大小无关,这个电流也称 R E 为反向饱和电流。 动画
外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强 了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散 电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下 形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN 结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反 向电压，简称反偏。 在一定的温度条件下，由本 征激发决定的少子浓度是一定 的，故少子形成的漂移电流是 恒定的，基本上与所加反向电 压的大小无关，这个电流也称 为反向饱和电流。 动画 （2）PN结加反向电压