o杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导 体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元 素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体(电子型半导体) 在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑)多余电子, 自由电子 成为自由电子 返回
杂质半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 N型半导体（电子型半导体） 在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑 ) 多余电子， 成为自由电子 +5 自由电子 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导 体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元 素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 返回 +5
P型半导体(空穴型半导体) 在本征半导体中掺入三价的元素(硼) 空穴 空穴 4 4 返回
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 P型半导体（空穴型半导体） 在本征半导体中掺入三价的元素（硼） +3 空穴 空穴 返回
N型半导体的多数载流子为电子,少数载流子是空穴; P型半导体的多数载流子为空穴,少数载流子是电子 例:纯净硅晶体中硅原子数为1021cm3数量级, 在室稳下,载流子浓度为n→D;=1010数量级, 掺入百万分之一的杂质(1/106),即杂质浓度 为1022(1/106)=1016数量级, 则掺杂后载流子浓度为1016+1010,约为101数量级, 比掺杂前载流子增加106,即一百万倍。 返回
N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴； P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。 例：纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级， 在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级， 掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度 为1022*（1/106）=1016数量级， 则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级， 比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。 返回 10
PN结的形成及特性 日PN结的形成 FN结的单向导电性
PNPN结的形成及特性 结的形成及特性 PN结的单向导电性 PN结的形成
PN结的形成 在一块本征半导体 P区 N区 两侧通过扩散不同的杂Pe⊙⊙⊙ 质,分别形成N型半导体PA= 和P型半导体。 三价的元素+五价的元素 因浓度差 产生多余空穴产生多余电子 动画 多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散
PN结的形成 在一块本征半导体 两侧通过扩散不同的杂 质,分别形成N型半导体 和P型半导体。 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 因浓度差 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 动画 + 三价的元素 + 五价的元素 产生多余空穴 产生多余电子