效管放火道路
场效应管放大电路
场效应,D >场效应晶体:G S 种载流子导电的、 制输出电流的半导 与导电的载流子来 由电子导电的N沟 导电的P沟道器件 结型场效应管 d?漏极(c) P+N沟道 N N+P沟道 g 耗尽 g g 耗尽层 栅极 栅极 g N P (b) (b) sb源极(e) sb源极(e)
场效应管 结型场效应管 场效应晶体三极管是由一 种载流子导电的、用输入电压控 制输出电流的半导体器件。从参 与导电的载流子来划分，它有自 由电子导电的N沟道器件和空穴 导电的P沟道器件。 按照场效应三极 管的结构划分，有结 型场效应管和绝缘栅 型场效应管两大类。 1.结构
2.工作原理 N沟道 PN结 N沟道场效应管工作时 在栅极与源极之间加负 DD 电压,栅极与沟道之间的 PN结为反偏。 在漏极、源极之间加 定正电压,使N沟道 中的多数载流子(电子) 由源极向漏极漂移,形P沟道场效应管工作时, 成。i的大小受vs的极性相反,沟道中的多 控制 子为空穴
2.工作原理 N 沟道 PN结 N沟道场效应管工作时， 在栅极与源极之间加负 电压，栅极与沟道之间的 PN结为反偏。 在漏极、源极之间加 一定正电压，使N沟道 中的多数载流子(电子) 由源极向漏极漂移，形 成iD。iD的大小受VGS的 控制。 P沟道场效应管工作时， 极性相反，沟道中的多 子为空穴
①栅源电压V3对i的控制作用 当VGs<0时,PN结反 >偏,耗尽层变厚,沟 道变窄,沟道电阻变 大,减小; Gs更负,沟道更窄, 1更小;直至沟道被 DD 耗尽层全部覆盖,沟 道被夹断,D≈0。这 时所对应的栅源电压份 Gs称为夹断电压V。L
①栅源电压VGS对iD的控制作用 当VGS＜0时，PN结反 偏，耗尽层变厚，沟 道变窄，沟道电阻变 大，ID减小； VGS更负，沟道更窄， ID更小；直至沟道被 耗尽层全部覆盖，沟 道被夹断， ID≈0。这 时所对应的栅源电压 VGS称为夹断电压VP
②漏源电压Vs对i的影响 在栅源间加电压Vs>VP 漏源间加电压Vs。则因漏 端耗尽层所受的反偏电压为 Ven=vcs-vi,比源端耗尽 G 层所受的反偏电压Vs 大如:VGs=2V,Ds=3V, V=9V则漏端耗尽层受反 当V继续增加时,预夹断点向 源极方向伸长为预夹断区。由于 预夹断区电阻很大,使主要VDs当V增加到使Gp=sWbs=p 降落在该区,由此产生的强电场时,在紧靠漏极处出现预夹断点, 力能把未夹断区漂移到其边界上 的载流子都扫至漏极,形成漏极 饱和电流
②漏源电压VDS对iD的影响 在栅源间加电压VGS＞VP， 漏源间加电压VDS。则因漏 端耗尽层所受的反偏电压为 VGD=VGS-VDS，比源端耗尽 层所受的反偏电压VGS 大,(如:VGS=-2V, VDS =3V, VP =-9V,则漏端耗尽层受反 偏电压为-5V，源端耗尽层 受反偏电压为-2V),使靠近 漏端的耗尽层比源端厚，沟 道比源端窄，故VDS对沟道 的影响是不均匀的，使沟道 呈楔形。 当VDS增加到使VGD =VGS-VDS =VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点， 随VDS增大，这种 不均匀性越明显。 当VDS继续增加时，预夹断点向 源极方向伸长为预夹断区。由于 预夹断区电阻很大，使主要VDS 降落在该区，由此产生的强电场 力能把未夹断区漂移到其边界上 的载流子都扫至漏极，形成漏极 饱和电流